맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유체의 확산 성능을 향상시키는 반도체 공정용 다공판

  • 기술번호 : KST2020017142
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유체의 확산 성능을 향상시키는 반도체 공정용 다공판에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유체의 확산 성능을 향상시키는 반도체 공정용 다공판은, 반도체 부품 제작 공정에서 발생하는 연기나 세정액 등의 유체를 어느 한 곳에 모이게 하지 않고 골고루 분산시킬 수 있도록, 반도체 공정 챔버 내의 가공대상 부품으로부터 상측으로 이격된 위치에 설치되는 것으로, 반도체 챔버 내에 위치한 상기 가공대상부품의 연직 상측에 위치되고, 상기 유체를 분산시켜 주기 위하여 상기 유체 측을 향한 기류를 형성시킬 수 있도록, 기체가 통과되는 복수의 제1공극들이 형성되어 있는 제1다공부; 및 상기 제1다공부를 중심으로 양측에 대칭으로 형성되고, 상기 챔버의 바닥면과의 연직거리가 상기 제1다공부로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 점짐적으로 크게 형성되며, 상기 기체가 통과되는 복수의 제2공극들이 형성되어 있는 제2다공부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/67017(2013.01) H01L 21/02(2013.01)
출원번호/일자 1020190060344 (2019.05.23)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0134633 (2020.12.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.23)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유재영 서울특별시 강남구
2 오재성 서울특별시 강동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엄명용 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **-* ***호(서초동, 한림빌딩)(양우특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0527540-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0093050-28
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0514078-36
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-1029335-10
8 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-1150326-15
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1267023-96
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-1267022-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 부품 제작 공정에서 발생하는 연기나 세정액 등의 유체를 어느 한 곳에 모이게 하지 않고 골고루 분산시킬 수 있도록, 반도체 공정 챔버 내의 가공대상 부품으로부터 상측으로 이격된 위치에 설치되는 것으로, 반도체 챔버 내에 위치한 상기 가공대상부품의 연직 상측에 위치되고, 상기 유체를 분산시켜 주기 위하여 상기 유체 측을 향한 기류를 형성시킬 수 있도록, 기체가 통과되는 복수의 제1공극들이 형성되어 있는 제1다공부; 및상기 제1다공부를 중심으로 양측에 대칭으로 형성되고, 상기 챔버의 바닥면과의 연직거리가 상기 제1다공부로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 점짐적으로 크게 형성되며, 상기 기체가 통과되는 복수의 제2공극들이 형성되어 있는 제2다공부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유체의 확산 성능을 향상시키는 반도체 공정용 다공판
2 2
제1항에 있어서,상기 제1다공부는 상기 챔버의 바닥면과의 연직거리가 동일한 평판형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유체의 확산 성능을 향상시키는 반도체 공정용 다공판
3 3
제1항에 있어서,상기 제1다공부의 제1공극은, 상기 제2다공부의 제2공극보다 더 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 유체의 확산 성능을 향상시키는 반도체 공정용 다공판
4 4
제1항에 있어서,상기 제1다공부는 중심에서 상기 제2다공부 측으로 갈수록 상기 연직거리가 점진적으로 작아지는 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유체의 확산 성능을 향상시키는 반도체 공정용 다공판
5 5
제4항에 있어서,상기 제1다공부의 제1공극은, 중심에서 상기 제2다공부 측으로 갈수록 점진적으로 크게 형성되고, 상기 제2다공부의 제2공극은 상기 챔버의 가장자리 측으로 갈수록 점진적으로 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 유체의 확산 성능을 향상시키는 반도체 공정용 다공판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 중앙대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 뇌/안구 체액순환 멀티스케일 CFD모델 및 이를 이용한 뇌혈관질환 등 질병 진단 시스템 개발