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공정 챔버와 진공 펌프를 연결하는 진공관에 설치되며, 유입관과 확장부 및 배출관을 포함하는 본체;상기 확장부의 내부에 위치하고, 개구의 위치가 서로 다른 적어도 두 종류의 수평판이 공정 가스의 흐름 방향을 따라 하나씩 교대로 반복 배치되어 다층 구조를 이루며, 공정 부산물이 표면에 축적되는 접지 전극부;상기 확장부의 측벽에 설치된 유전체; 및상기 유전체의 외면에 위치하며, 전원으로부터 구동 전압을 인가받아 상기 접지 전극부의 내부 공간에 플라즈마를 생성하여 상기 접지 전극부에 축적된 공정 부산물이 제거되도록 하는 고전압 전극;을 포함하는 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,상기 공정 챔버의 증착 구간에서 상기 접지 전극부의 표면에 공정 부산물이 축적되고, 상기 플라즈마는 상기 공정 챔버의 세정 구간에서 생성되어 공정 가스 중의 공정 부산물과 상기 접지 전극부에 축적된 공정 부산물을 제거하는 플라즈마 반응장치
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제2항에 있어서,상기 유입관으로 반응 가스를 공급하는 가스 공급장치를 더 포함하고,상기 플라즈마는 상기 공정 챔버의 증착 구간과 세정 구간에서 생성되는 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,상기 접지 전극부는, 공정 가스의 흐름 방향을 따라 이웃한 두 개의 수평판 사이에 위치하는 적어도 하나의 수직판을 더 포함하는 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,상기 수평판의 폭은 상기 확장부의 내측 폭과 동일하며, 상기 접지 전극부는 상기 유전체 또는 상기 확장부의 측벽과 접촉하는 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,상기 수평판의 폭은 상기 확장부의 내측 폭보다 작고, 상기 수평판 각각의 가장자리에 플랜지가 연결되며, 공정 가스의 흐름 방향을 따라 이웃한 두 개의 플랜지는 서로간 거리를 두고 위치하는 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,공정 가스의 흐름 방향에 따른 상기 유전체와 상기 고전압 전극 각각의 길이는 공정 가스의 흐름 방향에 따른 상기 접지 전극부의 전체 길이보다 큰 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,공정 가스의 흐름 방향에 따른 상기 유전체와 상기 고전압 전극 각각의 길이는 공정 가스의 흐름 방향에 따른 상기 접지 전극부의 전체 길이보다 작으며, 상기 유전체와 상기 고전압 전극은 상기 배출관보다 상기 유입관에 더 가깝게 위치하는 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,상기 유전체는 상기 수평판 사이마다 개별로 분리 설치되거나 상기 수평판 각각에 대응하여 개별로 분리 설치되는 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,상기 본체는, 상기 확장부의 내부에서 상기 유입관과 상기 접지 전극부 사이에 위치하는 제1 확산판과, 상기 확장부의 내부에서 상기 배출관과 상기 접지 전극부 사이에 위치하는 제2 확산판을 더 포함하는 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,상기 유전체는 제1 유전체이고, 상기 고전압 전극은 제1 고전압 전극이며,상기 접지 전극부의 상측에 위치하는 제2 유전체와, 상기 제2 유전체의 외면에 위치하며 상기 접지 전극부의 상측 공간에 플라즈마를 생성하는 제2 고전압 전극을 더 포함하는 플라즈마 반응장치
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제11항에 있어서,상기 제2 유전체는 상기 유입관에 설치되고,상기 배출관에 설치된 제3 유전체와, 상기 제3 유전체의 외면에 위치하며 상기 접지 전극부의 하측 공간에 플라즈마를 생성하는 제3 고전압 전극을 더 포함하는 플라즈마 반응장치
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제11항에 있어서,상기 제2 유전체는 복수 개로 구비되고, 상기 복수의 제2 유전체는 상기 확장부의 상부면에서 상기 유입관의 둘레 방향을 따라 서로간 거리를 두고 배치되는 플라즈마 반응장치
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제13항에 있어서,상기 확장부의 하부면에서 상기 배출관의 둘레 방향을 따라 서로간 거리를 두고 배치된 복수의 제3 유전체와, 복수의 제3 유전체 각각의 외면에 위치하는 복수의 제3 고전압 전극을 더 포함하는 플라즈마 반응장치
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공정 챔버와 진공 펌프를 연결하는 진공관에 설치되며, 유입관과 확장부 및 배출관을 포함하는 본체;복수의 개구가 형성되어 개구를 통해 공정 가스를 통과시키는 관형부와, 관형부의 일측 단부를 막아 공정 부산물이 표면에 축적되는 판형부로 구성된 바스켓 형태로 이루어지며, 내측 공간이 상기 유입관과 바로 통하도록 상기 확장부의 내부에 고정된 제1 접지 전극;상기 제1 접지 전극과 거리를 두고 상기 확장부의 내부에 위치하고, 개구의 위치가 서로 다른 적어도 두 종류의 수평판이 공정 가스의 흐름 방향을 따라 하나씩 교대로 반복 배치되어 다층 구조를 이루며, 공정 부산물이 표면에 축적되는 제2 접지 전극;상기 관형부 및 상기 제2 접지 전극과 각각 마주하도록 상기 확장부의 측벽에 설치된 제1 유전체 및 제2 유전체;상기 제1 유전체 및 상기 제2 유전체 각각의 외면에 위치하며, 상기 제1 접지 전극과 상기 제2 접지 전극 주위로 플라즈마를 생성하여 상기 제1 접지 전극 및 상기 제2 접지 전극에 축적된 공정 부산물이 제거되도록 하는 제1 고전압 전극 및 제2 고전압 전극을 포함하는 플라즈마 반응장치
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제15항에 있어서,상기 공정 챔버의 증착 구간에서 상기 판형부와 상기 제2 접지 전극의 표면에 공정 부산물이 축적되고, 상기 플라즈마는 상기 공정 챔버의 세정 구간에서 생성되어 공정 가스 중의 공정 부산물과 상기 판형부 및 상기 제2 접지 전극에 축적된 공정 부산물을 제거하는 플라즈마 반응장치
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제16항에 있어서,상기 유입관으로 반응 가스를 공급하는 가스 공급장치를 더 포함하고,상기 플라즈마는 상기 공정 챔버의 증착 구간과 세정 구간에서 생성되어 공정 가스 중의 공정 부산물과 상기 판형부 및 상기 제2 접지 전극에 축적된 공정 부산물을 제거하는 플라즈마 반응장치
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증착 공정이 진행되는 공정 챔버;진공관에 의해 상기 공정 챔버와 연결되며, 상기 공정 챔버의 내부를 배기시키는 진공 펌프; 및상기 진공관에 설치되며, 상기 공정 챔버에서 배출되는 공정 가스 중의 부산물을 제거하는, 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 플라즈마 반응장치를 포함하는 반도체 공정 설비
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