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공정 챔버와 연결된 제1 진공관이 접속되어 내부 공간으로 공정 가스가 유입되는 반응 챔버;상기 반응 챔버의 내부에 고정되며, 개구에 의해 내부 공간이 상기 반응 챔버의 내부 공간과 통해 있고, 진공 펌프와 연결된 제2 진공관이 접속되어 상기 공정 가스를 배출하는 관형의 접지 전극; 및상기 접지 전극의 내부 중앙에 위치하며, 유전체로 둘러싸이고, 전원으로부터 구동 전압을 인가받아 상기 접지 전극의 내부 공간에 플라즈마를 생성하는 고전압 전극을 포함하며,상기 고전압 전극이 상기 제2 진공관과 마주하는 영역에서 측정되는 상기 유전체의 두께는 상기 고전압 전극이 상기 접지 전극과 마주하는 다른 영역에서 측정되는 상기 유전체의 두께보다 큰 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,상기 공정 챔버의 증착 구간에서 상기 공정 가스 중의 부산물은 상기 반응 챔버의 내부에 축적되고, 축적된 부산물은 상기 공정 챔버의 세정 구간에서 발생한 플라즈마에 의해 세정되는 플라즈마 반응장치
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제2항에 있어서,상기 제1 진공관에는 세정 가스를 공급하는 가스 공급장치가 연결 설치되는 플라즈마 반응장치
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제1항에 있어서,상기 반응 챔버는 측벽과 덮개부 및 바닥부를 포함하고,상기 제1 진공관은 상기 측벽의 윗부분에 접속되는 플라즈마 반응장치
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제4항에 있어서,상기 접지 전극은, 상단이 상기 덮개부에 고정된 관형부와, 관형부의 하단에 연결되며 상기 개구가 위치하는 판형부를 포함하고,상기 제2 진공관은 상기 관형부의 윗부분에 접속되며, 상기 측벽을 기밀 상태로 관통하는 플라즈마 반응장치
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제5항에 있어서,상기 고전압 전극은 상기 제2 진공관과 마주하는 상측 영역과, 상기 제2 진공관 아래의 상기 관형부와 마주하는 하측 영역을 포함하며,상기 상측 영역에서 상기 유전체의 두께는 상기 하측 영역에서 상기 유전체의 두께보다 큰 플라즈마 반응장치
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제5항에 있어서,상기 고전압 전극은 제1 고전압 전극이고, 상기 유전체는 제1 유전체이며,상기 측벽에 설치된 관형의 제2 유전체와, 제2 유전체의 외면에 위치하는 제2 고전압 전극을 더 포함하는 플라즈마 반응장치
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제7항에 있어서,상기 바닥부에 설치된 판형의 제3 유전체와, 제3 유전체의 외면에 위치하는 제3 고전압 전극을 더 포함하는 플라즈마 반응장치
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9
제5항에 있어서,상기 접지 전극은, 상기 관형부의 내측에 연결되며 공정 가스 통과를 위한 관통홀을 구비한 복수의 수평판을 더 포함하고,상기 복수의 수평판은 수직 방향을 따라 서로 이격되며, 이웃한 두 개의 수평판에서 상기 관통홀은 서로 어긋나게 배치되는 플라즈마 반응장치
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제9항에 있어서,상기 복수의 수평판의 내측에 다공성 관부가 연결되고,상기 다공성 관부는 상기 유전체와 거리를 두고 상기 유전체를 둘러싸는 플라즈마 반응장치
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제7항에 있어서,상기 접지 전극은, 상기 관형부의 외측에 연결되며 공정 가스 통과를 위한 관통홀을 구비한 복수의 수평판을 더 포함하고,상기 복수의 수평판은 수직 방향을 따라 서로 이격되며, 이웃한 두 개의 수평판에서 상기 관통홀은 서로 어긋나게 배치되는 플라즈마 반응장치
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제11항에 있어서,상기 복수의 수평판의 외측에 다공성 관부가 연결되고,상기 다공성 관부는 상기 제2 유전체와 거리를 두고 상기 제2 유전체의 내측에 위치하는 플라즈마 반응장치
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공정 챔버와 연결된 제1 진공관이 접속되어 내부 공간으로 공정 가스가 유입되는 반응 챔버;상기 반응 챔버의 내부에 고정되며, 개구에 의해 내부 공간이 상기 반응 챔버의 내부 공간과 통해 있고, 진공 펌프와 연결된 제2 진공관이 접속된 관형의 접지 전극;상기 접지 전극의 내부 중앙에 위치하며, 유전체로 둘러싸이고, 전원과 연결되어 구동 전압을 인가받는 고전압 전극;상기 접지 전극과 상기 유전체의 사이 공간에서 수직 방향을 따라 서로 이격 배치되며, 관통홀의 위치가 서로 다른 적어도 두 개의 수평판을 포함하여 상기 공정 가스의 흐름을 지그재그 방식으로 유도하는 복수의 수평판; 및상기 복수의 수평판의 내측에 연결되며, 상기 유전체와 거리를 두고 상기 유전체를 둘러싸는 다공성 관부를 포함하는 플라즈마 반응장치
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제13항에 있어서,상기 제2 진공관은 상기 접지 전극의 윗부분에 접속되고,상기 고전압 전극은 상기 제2 진공관과 마주하는 상측 영역과, 상측 영역을 제외한 나머지의 하측 영역을 포함하며,상기 상측 영역에서 상기 유전체의 두께는 상기 하측 영역에서 상기 유전체의 두께보다 큰 플라즈마 반응장치
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공정 챔버와 연결된 제1 진공관이 접속되어 내부 공간으로 공정 가스가 유입되는 반응 챔버;상기 반응 챔버의 내부에 고정되며, 개구에 의해 내부 공간이 상기 반응 챔버의 내부 공간과 통해 있고, 진공 펌프와 연결된 제2 진공관이 접속된 관형의 접지 전극;상기 접지 전극의 내부 중앙에 위치하며, 제1 유전체로 둘러싸이고, 전원과 연결되어 구동 전압을 인가받는 제1 고전압 전극;상기 반응 챔버와 상기 접지 전극의 사이 공간에서 수직 방향을 따라 서로 이격 배치되며, 관통홀의 위치가 서로 다른 적어도 두 개의 수평판을 포함하여 상기 공정 가스의 흐름을 지그재그 방식으로 유도하는 복수의 수평판;상기 복수의 수평판을 둘러싸도록 상기 반응 챔버에 설치된 관형의 제2 유전체;상기 제2 유전체의 외면에 위치하는 제2 고전압 전극; 및상기 복수의 수평판의 외측에 연결되며, 상기 제2 유전체와 거리를 두고 위치하는 다공성 관부를 포함하는 플라즈마 반응장치
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제16항에 있어서,상기 제2 진공관은 상기 접지 전극의 윗부분에 접속되고,상기 제1 고전압 전극은 상기 제2 진공관과 마주하는 상측 영역과, 상측 영역을 제외한 나머지의 하측 영역을 포함하며,상기 상측 영역에서 상기 제1 유전체의 두께는 상기 하측 영역에서 상기 제1 유전체의 두께보다 큰 플라즈마 반응장치
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증착 공정이 진행되는 공정 챔버;제1 진공관 및 제2 진공관에 의해 상기 공정 챔버와 연결되며, 상기 공정 챔버의 내부를 배기시키는 진공 펌프; 및상기 제1 진공관과 상기 제2 진공관 사이에 설치되고, 상기 공정 챔버에서 배출되는 공정 가스 중의 부산물을 제거하는, 제1항 내지 제14항, 제16항, 및 제17항 중 어느 한 항에 따른 플라즈마 반응장치를 포함하는 반도체 공정 설비
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