1 |
1
산화그래핀 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 반응 생성물을 포함하는 기능화된 산화그래핀:[화학식 1]화학식 1 중, R1은 치환된 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기, 치환된 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기, 치환된 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로아릴렌기, 또는 2가의 치환된 또는 비치환된 C5 내지 C20의 지방족 고리이고,R2 내지 R4는 서로에 관계없이 수소, 치환된 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기, 치환된 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기, 치환된 또는 비치환된 C3C20의 헤테로아릴렌기, 치환된 또는 비치환된 C5 내지 C20의 지방족 고리, 할로겐 원자 또는 시아노기이다
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 R1이 C1-C10의 알킬렌기인 기능화된 산화그래핀
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물이 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 기능화된 산화그래핀:[화학식 2]화학식 2중, 상기 R1이 C1-C10의 알킬렌기인 기능화된 산화그래핀
|
4 |
4
제3항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물이 아미노에틸피페라진, 아미노메틸피페라진, 1-(3-아미노프로필)피페라진, 1-(4-아미노부틸)피페라진, 1-(6-아미노헥실)피페라진, 1-(5-아미노펜틸)피페라진 또는 그 조합물인 기능화된 산화그래핀
|
5 |
5
제1항에 있어서, 상기 산화그래핀과 화학식 1의 화합물의 중량비는 10:1 내지 2:1인 기능화된 산화그래핀
|
6 |
6
제1항에 있어서, 상기 기능화된 산화그래핀의 라만 분광법에 의한 D 피크의 세기(ID)/G 피크의 세기(IG)가 0
|
7 |
7
제1항에 있어서, 상기 기능화된 산화그래핀의 열중량 분석에 의하여 구해지는 700℃에서 잔류물의 함량이 45% 이상인 기능화된 산화그래핀
|
8 |
8
제1항에 있어서, 상기 기능화된 산화그래핀의 X선 회절분석에 의하여 구해지는 층간거리는 9
|
9 |
9
산화그래핀, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 용매를 함유한 조성물을 반응하는 단계를 포함하는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 기능화된 산화그래핀을 제조하는 기능화된 산화그래핀의 제조방법:[화학식 1]화학식 1 중, R1은 치환된 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기, 치환된 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기, 치환된 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로아릴렌기, 또는 2가의 치환된 또는 비치환된 C5 내지 C20의 지방족 고리이고,R2 내지 R4는 서로에 관계없이 수소, 치환된 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기, 치환된 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기, 치환된 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로아릴렌기, 치환된 또는 비치환된 C5 내지 C20의 지방족 고리, 할로겐 원자 또는 시아노기이다
|
10 |
10
제9항에 있어서,상기 조성물을 반응하는 단계가 25℃ 내지 100℃에서 실시되는 기능화된 산화그래핀의 제조방법
|