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고분자 매트릭스 및 MOF의 금속 전구체를 포함하는 방사 도프를 방사하여 상기 금속 전구체를 포함하는 고분자 파이버 흡착제 전구체를 형성하는 단계; 및상기 고분자 파이버 흡착제 전구체를 상기 MOF의 유기 리간드와 접촉시켜 상기 고분자 파이버 흡착제 전구체 매트릭스 내에 MOF를 형성시키는 단계;를 포함하는 매트릭스 내에 MOF를 포함하는 고분자 파이버 흡착제의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 금속 산화물, 금속 나이트레이트, 금속 아세테이트, 금속 브로마이드, 금속 클로라이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체의 금속은 Mg, Al, Y, Sc, Mo, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Cd, Ca, Pd, Pt, Au, Ag, Ru, Gd, Eu, Tb 및 Zn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기 리간드는 4,4'-디옥시도-3,3'-비페닐디카복실레이트, 2,5-디옥시도-1,4-벤젠디카복실레이트, 1,5-디옥사이드-2,6-나프탈렌디카복실레이트 및 4,4'-디옥시도-3,3'-트리페닐디카복실레이트, 2,5-디하이드록시테레프탈산, 4-(4-카복시-3-하이드록시-페닐)-2-하이드록시-벤조산, 4,4'-에티닐렌다이벤조산, 1,3,5- 벤젠트리카르복실레이트, 2-브로모-1,4-벤젠디카르복실산, 피리딘-3-카르복실산, 2-메틸-1H-이미다졸, 4-메틸-5-이미다졸카르복스 알데하이드 및 바이페닐-4,4'-디카르복실산(biphenyl-4,4'-dicarboxylic acid)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 파이버 흡착제 전구체를 상기 MOF의 유기 리간드와 접촉시켜 상기 고분자 파이버 흡착제 전구체 매트릭스 내에 MOF를 형성시키는 단계는 25℃ 내지 150℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스 및 MOF의 금속 전구체를 포함하는 방사 도프를 방사하여 상기 금속 전구체를 포함하는 고분자 파이버 흡착제 전구체를 형성하는 단계는 상전이 공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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제1항에 있어서,상기 방사 도프는 기공 형성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 파이버 흡착제 제조방법은 상기 고분자 파이버 흡착제 전구체를 가교시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 파이버 흡착제 제조방법은상기 고분자 파이버 흡착제 전구체를 상기 MOF의 유기 리간드와 접촉시켜 상기 고분자 파이버 흡착제 전구체 매트릭스 내에 MOF를 형성시키는 단계 후에상기 MOF에 아민기를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 파이버 흡착제 전구체는 30 wt% 내지 95 wt%의 상기 MOF의 금속 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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제1항에 있어서,상기 MOF는 Mg, Al, Y, Sc, Mo, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Cd, Ca, Pd, Pt, Au, Ag, Ru, Gd, Eu, Tb 및 Zn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 원소; 및4,4'-디옥시도-3,3'-비페닐디카복실레이트, 2,5-디옥시도-1,4-벤젠디카복실레이트, 1,5-디옥사이드-2,6-나프탈렌디카복실레이트 및 4,4'-디옥시도-3,3'-트리페닐디카복실레이트, 2,5-디하이드록시테레프탈산, 4-(4-카복시-3-하이드록시-페닐)-2-하이드록시-벤조산, 4,4'-에티닐렌다이벤조산, 1,3,5- 벤젠트리카르복실레이트, 2-브로모-1,4-벤젠디카르복실산, 피리딘-3-카르복실산, 2-메틸-1H-이미다졸, 4-메틸-5-이미다졸카르복스 알데하이드 및 바이페닐-4,4'-디카르복실산(biphenyl-4,4'-dicarboxylic acid)으로부터 선택되는 1종 이상의 유기 분자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 파이버 흡착제 전구체를 상기 MOF의 유기 리간드와 접촉시켜 상기 고분자 파이버 흡착제 전구체 매트릭스 내에 MOF를 형성시키는 단계는 금속 이온이 추가로 공급되는 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 파이버 흡착제는 단일 구조(monolithic fiber) 또는 중공 구조(hollow fiber)인 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제 제조방법
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고분자 매트릭스 내 전체에 MOF가 분포하는 고분자 파이버 흡착제
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제14항에 있어서,상기 고분자 파이버 흡착제는 단일 구조(monolithic fiber) 또는 중공 구조(hollow fiber)인 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제
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제14항에 있어서,상기 고분자 파이버 흡착제는 중공 구조(hollow fiber)구조이며,상기 고분자 파이버 흡착제의 겉면의 두께는 100 ㎛ 내지 1000 ㎛이고,상기 고분자 파이버 흡착제의 보어의 두께는 50 ㎛ 내지 1000 ㎛이며,상기 고분자 파이버 흡착제의 기공도는 30 vol% 내지 80 vol%인 것을 특징으로 하는 고분자 파이버 흡착제
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고분자 매트릭스 및 MOF의 금속 전구체를 포함하는 방사 도프를 방사하여 상기 금속 전구체를 포함하는 고분자 파이버 흡착제 전구체를 형성하는 단계;복수의 고분자 파이버 흡착제 전구체를 포함하는 고분자 파이버 흡착제 전구체 모듈을 형성하는 단계; 및상기 고분자 파이버 흡착제 전구체 모듈을 상기 MOF의 유기 리간드와 접촉시켜 상기 고분자 파이버 흡착제 전구체 매트릭스 내에 MOF를 형성시키는 단계;를 포함하는 고분자 파이버 흡착제 모듈 제조방법
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제17항에 의하여 제조된 고분자 파이버 흡착제 모듈
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