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파장 선택적 투과층과 중적외선 방사층 사이에 선택적 열 투과막을 포함하는, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 파장 선택적 투과층은 색상을 발현하고, 상기 중적외선 방사층은 복사냉각을 구현하고, 상기 선택적 열 투과막은 열 교환을 차단하는 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 파장 선택적 투과층은 제 1 형태로서,입사하는 태양광 중 구현하고자 하는 색상의 제 1 파장을 반사하고, 상기 제 1 파장 이외의 태양광을 흡수하고, 중적외선을 투과시키는 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 파장 선택적 투과층은 제 2 형태로서,입사하는 태양광 중 구현하고자 하는 색상의 제 1 파장을 반사 또는 투과하고, 상기 제 1 파장 이외의 태양광을 흡수하고, 중적외선을 투과시키는 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 선택적 열 투과막은 중적외선을 투과시키고, 상기 파장 선택적 투과층으로부터 상기 중적외선 방사층으로의 열 전달을 차단하는 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 중적외선 방사층은 상기 선택적 열 투과막으로부터 유입되는 중적외선을 흡수하여 외부로 방사시키는 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 중적외선 방사층에서 상기 선택적 열 투과막의 타측면 상에 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 거울을 추가 포함하는, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 파장 선택적 투과층은 다층 박막, 나노 패턴 또는 분산된 나노입자를 포함하는 고분자층의 형태인 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 3 항에 있어서,상기 파장 선택적 투과층은 제 1 기판에 황화 아연(ZnS), 불화 바륨(BaF2), 징크 셀레나이드(ZnSe), 불화 칼슘(CaF2), 염화 나트륨(NaCl), 브롬화 칼륨(KBr), 염화 칼륨(KCl), 염화은(AgCl), 브롬화 은(AgBr), 요오드화세슘(CsI), 염화루비듐(RbCl), 불화 마그네슘(MgF2), 다이아몬드, 탈륨 브로모아이오다이드(Thallium Bromoiodide, TlBrI; KRS-5), 산화티탄(TiO2), 산화지르콘(ZrO2), 산화아연(ZnO), 산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 유무기 안료 및 유무기 염료로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 적층된 형태이며,상기 제 1 기판은 유리, 쿼츠, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리스타이렌(PS), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 게르마늄(Ge), 규소(Si) 및 갈륨비소(GaAs)를 포함하는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 4 항에 있어서,상기 파장 선택적 투과층은 제 2 기판에 황화 아연(ZnS), 불화 바륨(BaF2), 징크 셀레나이드(ZnSe), 불화 칼슘(CaF2), 염화 나트륨(NaCl), 브롬화 칼륨(KBr), 염화 칼륨(KCl), 염화은(AgCl), 브롬화 은(AgBr), 요오드화세슘(CsI), 염화루비듐(RbCl), 불화 마그네슘(MgF2), 다이아몬드, 탈륨 브로모아이오다이드(Thallium Bromoiodide, TlBrI; KRS-5), 산화티탄(TiO2), 산화지르콘(ZrO2), 산화아연(ZnO), 산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 유무기 안료 및 유무기 염료로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 적층된 형태이며,상기 제 2 기판은 염화 나트륨(NaCl), 브롬화 칼륨(KBr), 염화 칼륨(KCl), 황화 아연(ZnS), 염화 은(AgCl), 브롬화 은(AgBr), 요오드화 세슘(CsI) 및 다이아몬드를 포함하는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 포함하는 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 선택적 열 투과막은 진공, 공기, 고분자막, 고분자 패턴 및 고분자 기둥으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 선택적 열 투과막은 공기 및 고분자 패턴을 포함하는 것이고,허용되는 표면 파워 밀도에 따라 상기 공기와 상기 고분자 패턴의 면적비 및 상기 선택적 열 투과막의 두께가 결정되는 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 11 항에 있어서,상기 고분자 패턴은, 주기를 갖는 복수의 격자 단위를 포함하는 격자형이며,상기 격자 단위에서의 격자 너비는 상기 주기의 1/10 이하인 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 선택적 열 투과막의 두께는 5 cm 이하인 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 중적외선 방사층은 고분자층, 다층 박막, 나노 패턴 또는 분산된 나노입자를 포함하는 고분자층의 형태인 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 15 항에 있어서,상기 고분자는 폴리디메틸실록산(Poly(dimethylsiloxane); PDMS), 폴리에틸렌(Polyethylene; PE), 폴리스티렌(Polystyrene, PS) 및 폴리프로필렌(Polypropylene; PP)으로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상인 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 15 항에 있어서,상기 고분자층의 두께는 100 μm 내지 1000 μm인 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 파장 선택적 투과층과 상기 선택적 열 투과막 사이에 반사 방지층을 추가 포함하는, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 18 항에 있어서,상기 반사 방지층은 상기 파장 선택적 투과층의 기판에 황화 아연(ZnS), 불화 바륨(BaF2), 징크 셀레나이드(ZnSe), 불화 칼슘(CaF2), 염화 나트륨(NaCl), 브롬화 칼륨(KBr), 염화 칼륨(KCl), 염화 은(AgCl), 브롬화 은(AgBr), 요오드화 세슘(CsI), 염화 루비듐(RbCl), 불화 마그네슘(MgF2), 다이아몬드, 탈륨 브로모아이오다이드(Thallium Bromoiodide, TlBrI; KRS-5), 산화티탄(TiO2), 산화지르콘(ZrO2), 산화아연(ZnO), 산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 유무기 안료 및 유무기 염료로 구성된 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 적층된 형태인 것인, 색상형 복사냉각 디바이스
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제 1 항에 따른 색상형 복사냉각 디바이스를 이용한, 물체의 냉각 방법
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