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소스, 드레인 및 상부 게이트를 포함하는 모스？(MOSFET) 구조의 초음파 센서에 있어서,실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상부에 증착된 실리콘 다이옥사이드(SiO2)를 포함하는 절연층;상기 절연층 상부에 증착된 베타 갈륨 옥사이드(β-Ga2O3)를 포함하는 반도체층; 및상기 반도체층 상부에 고온에서 증착된 하프늄 옥사이드(HfO2)를 포함하는 유전층;을 포함하는 초음파 센서
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제 1 항에 있어서,상기 절연층은, 두께가 300㎚인 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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제 1 항에 있어서,상기 유전층은,350℃의 고온에서 증착되는 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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제 1 항에 있어서,상기 유전층은,원자층 증착법(atomic layer deposition)에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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제 1 항에 있어서,상기 유전층은,두께가 25㎚인 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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제 1 항에 있어서,상기 하프늄 옥사이드(HfO2)는,다결정 구조(polycrystalline structure)를 갖는 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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소스, 드레인, 상부 게이트 및 실리콘 기판을 포함하는 모스？(MOSFET) 구조의 초음파 센서 제조 방법에 있어서,상기 실리콘 기판 상부에 실리콘 다이옥사이드(SiO2)를 증착하여 절연층을 생성하는 단계;상기 절연층 상부에 베타-갈륨 옥사이드(β-Ga2O3)를 증착하여 반도체층을 생성하는 단계; 및상기 반도체층 상부에 하프늄 옥사이드(HfO2)를 고온에서 증착하여 유전층을 생성하는 단계;를 포함하는 초음파 센서 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 유전층을 생성하는 단계는,350℃의 고온에서 증착하는 것을 특징으로 하는, 초음파 센서 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 유전층을 생성하는 단계는,원자층 증착법(atomic layer deposition)에 의해 증착하는 것을 특징으로 하는, 초음파 센서 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 초음파 센서와 광음향 발진체를 포함하는 초음파 센서를 포함하는 트랜스듀서
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제 10 항에 있어서,상기 초음파 센서와 상기 광음향 발진체가 수직으로 배치되는 것을 특징으로 하는, 초음파 센서를 포함하는 트랜스듀서
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제 10 항에 있어서,상기 초음파 센서와 상기 광음향 발진체가 수평으로 배치되는 것을 특징으로 하는, 초음파 센서를 포함하는 트랜스듀서
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