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투명 양극 ; 상기 투명 양극 상에 형성되고, 양자 터널링 현상으로 정공을 상기 투명 양극으로 추출하는 하프늄옥사이드 버퍼층 ; 상기 버퍼층 상에 형성되는 유기 활성층 ; 및 상기 유기 광활성층 상에 형성된 음극을 포함하는 광전변환 소자
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제 1항에 있어서, 상기 하프늄옥사이드 버퍼층은 두께가 4~5
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제 1항에 있어서, 상기 하프늄옥사이드 버퍼층은 두께가 5~5
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제 1항에 있어서, 상기 유기 포토디텍터는 유기 활성층과 음극 사이에 형성되는 전자전달 버퍼층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 광전변환 소자
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기판 상에 투명 양극(10)을 증착하는 단계 ; 상기 투명 양극 상에 하프늄옥사이드 버퍼층(20)을 4~5
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제 5항에 있어서, 상기 방법은 상기 유기 활성층 상에 전자전달 버퍼층을 적층하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환 소자
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제 6항에 있어서, 상기 하프늄옥사이드 버퍼층(20)을 적층하는 단계는 하프늄 클로라이드를 용매에 넣어 전구체 용액을 제조하는 단계 ; 상기 전구체 용액을 상기 투명 양극 상에 스핀 코팅한 후 용매를 증발시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환 소자 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 하프늄옥사이드 버퍼층(20)을 적층하는 단계는 하프늄옥사이드 클로라이드를 용매에 넣어 양이온 전구체 용액을 제조하고, 과산화수소 수용액을 탈이온수에 넣어 음이온 전구체 용액을 제조하는 단계 ; 상기 투명양극을 상기 양이온 전구체 용액, 탈이온수, 상기 음이온 전구체 용액 및 탈이온수에 순차로 담그는 연속 이온 증착 단계 ; 상기 연속 이온 증착을 반복하여 상기 하프늄옥사이드 버퍼층(20)의 두께를 조절하는 단계 ; 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환 소자 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 광전변환 소자 제조방법은 양이온 전구체 용액의 pH를 염기성으로 조절하는 것을 특징으로 하는 광전변환 소자 제조방법
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10
제 8항에 있어서, 상기 광전변환 소자 제조방법은 상기 양이온 전구체 용액의 농도를 0
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항의 광전 변환 소자를 구비하는 포토디텍터
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