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반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021000185
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 제1 도전형의 도펀트를 포함하는 기판 상에 제2 도전형의 도펀트를 포함하는 반도체 패턴들을 형성하는 것; 상기 기판을 열처리하여 상기 기판의 상부에 이온 확산 영역들을 형성하는 것; 및 상기 반도체 패턴들 및 상기 이온 확산 영역들 중 일부를 덮는 절연막을 형성하는 것;을 포함하되, 상기 기판 및 상기 반도체 패턴들은 실리콘 카바이드(SiC)를 포함하고, 상기 이온 확산 영역들은 상기 반도체 패턴들로부터 확산된 제2 도전형의 도펀트를 포함하고, 상기 이온 확산 영역들은 상기 반도체 패턴들의 하면 상에 각각 배치될 수 있다.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/265 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190136666 (2019.10.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0002320 (2021.01.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190076589   |   2019.06.26
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박건식 대전시 유성구
2 고상춘 대전광역시 유성구
3 박종문 대전시 유성구
4 원종일 대전광역시 유성구
5 이성현 경기도 수원시 장안구
6 조두형 세종특별시 다정남로 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-1112579-44
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번호 청구항
1 1
제1 도전형의 도펀트를 포함하는 기판 상에 제2 도전형의 도펀트를 포함하는 반도체 패턴들을 형성하는 것; 및상기 기판을 열처리하여 상기 기판의 상부에 이온 확산 영역들을 형성하는 것을 포함하되,상기 기판 및 상기 반도체 패턴들은 실리콘 카바이드(SiC)를 포함하고,상기 이온 확산 영역들은 상기 반도체 패턴들로부터 확산된 제2 도전형의 도펀트를 포함하고,상기 이온 확산 영역들은 상기 반도체 패턴들의 하면 상에 각각 배치되는 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 (주)옵티코어 ICT R＆D 바우처사업 근적외선 대역 고감도 실리콘 APD 및 SPAD 어레이 소자 개발