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기판 상에 주석 전구체 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제1 서브 사이클(first sub-cycle)을 수행하는 단계;상기 제1 서브 사이클을 수행한 상기 기판 상으로 주석 전구체, 탄탈륨 전구체, 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제2 서브 사이클을 수행하는 단계; 및상기 제1 서브 사이클 및 상기 제2 서브 사이클이 하나의 사이클(cycle)을 구성하며, 상기 사이클을 반복 수행하여, 상기 기판 상에 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막 내 탄탈륨 농도는 상기 제2 서브 사이클에서 제공되는 상기 주석 전구체에 의해 결정되는 전극막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 사이클을 수행하는 단계에서,상기 주석 전구체를 제공한 후, 제1 퍼지 가스를 제공하고,상기 산소 소스를 제공한 후, 제2 퍼지 가스를 제공하는 전극막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 사이클을 수행하는 단계에서,상기 탄탈륨 전구체를 제공한 후, 제1 퍼지 가스를 제공하고,상기 산소 소스를 제공한 후, 제2 퍼지 가스를 제공하는 전극막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전극막은 루타일(rutile) 구조를 갖는 전극막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전극막에서, 탄탈륨 원자량 및 주석 원자량의 합에 대한 탄탈륨 원자량은 1
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기판 상에 주석 전구체, 제1 퍼지 가스, 산소 소스, 및 제2 퍼지 가스를 순차적으로 제공하는 제1 서브 사이클을 수행하는 단계;상기 제1 서브 사이클을 수행한 상기 기판 상으로 주석 전구체, 탄탈륨 전구체, 제1 퍼지 가스, 산소 소스, 및 제2 퍼지 가스를 제공하는 제2 서브 사이클을 수행하는 단계;상기 제1 서브 사이클 및 상기 제2 서브 사이클이 하나의 사이클을 구성하며, 상기 사이클을 반복 수행하여 상기 기판 상에 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제2 서브 사이클에서, 탄탈륨 원자량 및 주석 원자량의 합에 대한 탄탈륨 원자량은 1
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제6항에 있어서,상기 전극막은 루타일 구조를 갖는 전극막 제조 방법
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기판 상에 주석 전구체, 제1 퍼지 가스, 산소 소스, 및 제2 퍼지 가스를 순차적으로 제공하는 제1 서브 사이클을 수행하는 단계;상기 제1 서브 사이클을 수행한 상기 기판 상으로 주석 전구체, 탄탈륨 전구체, 제1 퍼지 가스, 산소 소스, 및 제2 퍼지 가스를 제공하는 제2 서브 사이클을 수행하는 단계;상기 제1 서브 사이클 및 상기 제2 서브 사이클이 하나의 사이클을 구성하며, 상기 사이클을 반복 수행하여 상기 기판 상에 탄탈륨이 도핑된 주석 산화물을 포함하는 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 하부 전극은 루타일 구조를 가지며,상기 제2 서브 사이클에서, 탄탈륨 원자량 및 주석 원자량의 합에 대한 탄탈륨 원자량은 1
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제8항에 있어서,상기 하부 전극은 저면이 닫힌 실린더 또는 기둥 구조를 가지며,상기 하부 전극의 종횡비가 10이상인 커패시터의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 유전체층은 75이상의 유전율을 갖는 커패시터의 제조 방법
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