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나이오븀 전구체 및 아이오딘 전구체를 반응시켜 벌크 이차원 구조체를 제조하는 단계; 및상기 벌크 이차원 구조체로부터 단층의 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계;를 포함하고,상기 이차원 나노 구조체는 Nb3I8 구조식을 포함하는 것인,이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체를 화학 기상 수송 반응(Chemical Vapor Transport Reaction)시켜 상기 벌크 이차원 구조체를 제조하는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 벌크 이차원 구조체는 단결정 구조를 가지는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 벌크 이차원 구조체의 전기적 특성은 온도에 따라 변화되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 벌크 이차원 구조체로부터 상기 이차원 나노 구조체를 박리하는 단계는 물리적 박리법 또는 화학적 박리법에 의해 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 물리적 박리법은 기계적 박리, 층간 물질 삽입, 초음파 공정, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 박리법에 의해 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 기계적 박리는 상기 접착성 폴리머 상에 상기 벌크 이차원 구조체를 접착 시키는 단계; 상기 접착성 폴리머의 상기 벌크 이차원 구조체가 접착된 면을 기판 상에 접착시키는 단계; 및 상기 기판 상의 상기 접착성 폴리머를 제거하는 단계를 포함하는 공정에 의해 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 탄화물, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 화학적 박리법은 전기 화학적 박리, 습식 화학 박리, 환원 박리, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 박리법에 의해 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 벌크 이차원 구조체는 상기 단층의 이차원 나노 구조체들이 반데르발스 힘에 의해 적층되어 있는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나이오븀 전구체 및 상기 아이오딘 전구체의 몰 비율은 3 : 8 내지 3 : 10 인 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 벌크 이차원 구조체를 제조하는 단계는 500℃ 내지 750℃ 의 온도 범위 에서 수행되는 것인, 이차원 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되고, Nb3I8 구조식을 포함하는 이차원 나노 구조체
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