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발광 소재, 이의 제조 방법 및 발광 소재를 포함하는 발광 소자

  • 기술번호 : KST2021000448
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소재는 ABX3로 표시되는 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하고, 상기 A는 Cs 또는 Rb이며, 상기 B는 Mn이고, 상기 X는 할라이드 물질 중 하나 이상이고, 상기 화합물은 녹색광을 발광한다.
Int. CL H01L 33/26 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/26(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020190084960 (2019.07.15)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0008620 (2021.01.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.15)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤대호 경기도 수원시 장안구
2 권석빈 경기도 수원시 장안구
3 최승희 경기도 수원시 장안구
4 유정현 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위병갑 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 * *층(대영빌딩)(위특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0720001-04
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-1035000-03
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0100526-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0507483-50
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-1022787-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1022786-79
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번호 청구항
1 1
ABX3로 표시되는 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하고,상기 A는 Cs 또는 Rb이며,상기 B는 Mn이고,상기 X는 할라이드 물질 중 하나 이상이고,상기 화합물은 녹색광을 발광하는 발광 소재
2 2
제1항에서,상기 발광 소재의 중심 파장은 520 nm 내지 565 nm 인 발광 소재
3 3
제2항에서,상기 중심 파장에서 상기 발광 소재의 반치폭은 40 nm 내지 50 nm인 발광 소재
4 4
제1항에서,상기 ABX3로 표시되는 화합물은 CsMnCl3인 발광 소재
5 5
제1항에서,상기 ABX3로 표시되는 페로브스카이트 화합물은 각각 AX, BX2로 표시되는 화합물의 기계적 화학반응으로 제조된 발광 소재
6 6
제5항에서,상기 기계적 화학반응은 금속염을 사용하지 않고 휘발성 용매를 사용하는 발광 소재
7 7
제1 전극;상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고,상기 발광층은 ABX3로 표시되는 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하고,상기 A는 Cs 또는 Rb이며,상기 B는 Mn이고,상기 X는 할라이드 물질 중 하나 이상이고,상기 화합물은 녹색광을 발광하는 발광 소자
8 8
제7항에서,상기 발광 소재의 중심 파장은 520 nm 내지 565 nm 인 발광 소자
9 9
제8항에서,상기 중심 파장에서 상기 발광 소재의 반치폭은 40 nm 내지 50 nm인 발광 소자
10 10
제7항에서,상기 ABX3로 표시되는 화합물은 CsMnCl3인 발광 소자
11 11
제7항에서,상기 발광층은 납을 포함하지 않는 발광 소자
12 12
비극성 용매에 각각 AX 및 BX2로 표시되는 화합물을 투입하는 단계;상기 화합물이 투입된 비극성 용매를 밀링하여 ABX3로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 제조하는 단계;를 포함하며, 상기 A는 Cs 또는 Rb이며,상기 B는 Mn이고,상기 X는 각각 할라이드 물질 중 하나 이상인 발광 소재의 제조 방법
13 13
제12항에서,상기 화합물이 투입된 비극성 용매를 밀링하여 페로브스카이트 화합물을 제조하는 단계 이후, 상기 페로브스카이트 화합물에서 용매를 증발시키는 단계를 더 포함하는 발광 소재의 제조 방법
14 14
제13항에서,상기 화합물이 투입된 비극성 용매를 밀링하여 페로브스카이트 화합물을 제조하는 단계; 및 상기 페로브스카이트 화합물에서 용매를 증발시키는 단계 사이에, 상기 비극성 용매 및 페로브스카이트 화합물을 거름망에 거르는 단계를 더 포함하는 발광 소재의 제조 방법
15 15
제12항에서,상기 화합물이 투입된 비극성 용매를 밀링하여 ABX3로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 제조하는 단계는 30분 내지 60분 동안 수행되는 발광 소재의 제조 방법
16 16
제12항에서,상기 화합물이 투입된 비극성 용매를 밀링하여 ABX3로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 제조하는 단계에서, 상기 화합물의 색이 분홍색에서 아이보리 색으로 변하는 발광 소재의 제조 방법
17 17
제12항에서,상기 제조되는 발광 소재는 ABX3로 표시되는 페로브스카이트 구조의 화합물이고, 상기 A는 Cs 또는 Rb이며,상기 B는 Mn이고,상기 X는 할라이드 물질 중 하나 이상이고,상기 화합물은 녹색광을 발광하는 발광 소재의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교 산학협력단 국제공동기술개발사업 차세대 디스플레이용 색변환 나노결정 발광소재 개발