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금속의 질화 처리를 수행할 수 있도록 내부에 처리 공간이 형성되는 반응 챔버;암모니아 가스를 포함하는 처리 가스를 상기 반응 챔버로 공급하는 처리 가스 공급부;상기 반응 챔버에서 분해되거나 미분해된 상기 처리 가스를 배출하는 배출부;상기 반응 챔버 내부의 수소 분압을 검출하는 센서부; 및상기 센서부로부터 상기 수소 분압을 전송받아 상기 반응 챔버 내부의 질화 포텐셜 값을 계산하고, 상기 질화 포텐셜 값에 연동하여 상기 반응 챔버의 내부 온도 및 상기 반응 챔버로 공급되는 상기 처리 가스의 유량을 제어하는 제어부;를 포함하고,상기 제어부는,상기 암모니아 가스가 상기 반응 챔버로 투입된 후 상기 처리 가스 공급부를 폐쇄시키고, 투입된 상기 암모니아 가스를 분해하기 위하여 상기 반응 챔버의 상기 내부 온도를 설정 온도로 상승시키고, 상기 설정 온도에 도달 한 후 상기 질화 포텐셜 값이 기 설정된 기준 값으로 유지될 수 있도록 상기 처리 가스 공급부의 개폐를 제어하여 상기 반응 챔버로 투입되는 상기 처리 가스의 유량을 조절하는, 질화 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 질화 처리 장치는,상기 반응 챔버에서 상기 암모니아 가스의 분해에 의해 수소가 생성되며, 상기 반응 챔버 이외에 별도의 암모니아 가스 분해로를 구비하지 않는, 질화 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어부는,하기 [수식 1]에 의해 상기 질화 포텐셜 값을 계산하는, 질화 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어부는,상기 반응 챔버의 내부 압력이 기 설정된 압력 미만일 경우에는 상기 배출부를 폐쇄하고, 상기 기 설정된 압력 이상일 경우에는 상기 배출부를 개방하도록 제어하는, 질화 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어부는,상기 처리 가스 공급부를 ON/OFF제어 방식 또는 PID제어 방식에 의해 제어하여 상기 처리 가스의 유량을 제어하는, 질화 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 센서부는,수소 센서;상기 가스 배출 라인으로 배출되는 상기 처리 가스를 펌핑하여 상기 수소 센서로 공급하는 펌프; 및상기 수소 센서를 통과한 상기 처리 가스를 상기 가스 배출 라인으로 배기하는 배기 라인;을 포함하는, 질화 처리 장치
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내부에 처리 공간이 형성되고 상기 처리 공간으로 금속의 질화 처리를 위해 암모니아 가스를 포함하는 처리 가스가 투입되는 반응 챔버를 이용한 질화 처리 방법에 있어서,처리 가스 공급부를 통해 상기 반응 챔버의 내부로 상기 암모니아 가스를 투입하는 단계;상기 처리 가스 공급부를 폐쇄한 후, 상기 반응 챔버 내부의 온도를 기 설정된 설정 온도로 가열하여 상기 암모니아 가스를 분해하여 수소를 생성하는 단계;상기 반응 챔버 내부의 온도가 상기 설정 온도에 도달된 후 상기 반응 챔버 내부의 질화 포텐셜 값을 센서부를 통해 도출하는 단계; 및상기 도출된 질화 포텐셜 값이 기 설정된 기준 값에 도달하면, 상기 반응 챔버 내부의 상기 질화 포텐셜 값이 기 설정된 기준 값으로 유지될 수 있도록 상기 처리 가스 공급부를 제어하여 상기 반응 챔버로 투입되는 상기 암모니아 가스의 유량을 조절하는 질화 포텐셜 제어 단계;를 포함하는, 질화 처리 방법
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제 7 항에 있어서,상기 질화 포텐셜 값은, 하기 [수식 1]에 의해 계산되는, 질화 처리 방법
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제 8 항에 있어서,상기 [수식 1]에 포함된 수소 분압()은 상기 반응 챔버로 투입된 상기 암모니아 가스가 분해되면서 생성된 상기 수소에 의한 것인, 질화 처리 방법
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제 7 항에 있어서,상기 설정 온도는, 450℃ 내지 650℃ 범위를 가지는, 질화 처리 방법
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제 7 항에 있어서,상기 질화 처리 방법에서,상기 반응 챔버의 내부 압력이 기 설정된 압력 미만일 경우에는 상기 반응 챔버에서 분해되거나 미분해된 상기 처리 가스를 배출하는 배출부를 폐쇄하고, 상기 기 설정된 압력 이상일 경우에는 상기 배출부를 개방하는, 질화 처리 방법
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제 7 항에 있어서,상기 질화 포텐셜 제어 단계에서,상기 처리 가스 공급부를 온/오프제어 방식 또는 PID제어 방식에 의해 제어하여 상기 암모니아 가스의 유량을 조절하는, 질화 처리 방법
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