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전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성방법

  • 기술번호 : KST2021000470
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판에 전이금속 칼코겐 화합물 박막을 형성하는 방법이 개시된다. 개시된 방법은, 기판을 금속 유기물로 처리하는 단계; 및 상기 기판 주위에 전이금속 원소를 포함하는 전이금속 전구체 및 칼코겐 원소를 포함하는 칼코겐 전구체를 제공하여 상기 기판에 전이금속 칼코겐 화합물을 합성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL C23C 16/30 (2006.01.01) C23C 16/02 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC C23C 16/305(2013.01) C23C 16/0272(2013.01) C23C 16/45553(2013.01) C23C 16/45534(2013.01)
출원번호/일자 1020190085821 (2019.07.16)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0009160 (2021.01.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변경은 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김형섭 서울특별시 서초구
3 박태진 경기도 용인시 수지구
4 김회준 대전광역시 유성구
5 신현진 대한민국 경기도 수원시 장안구
6 안원식 경기도 부천시 소사구
7 임미리내 경기도 수원시 장안구
8 조연주 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0728276-17
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번호 청구항
1 1
기판에 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide) 박막을 형성하는 방법에 있어서,상기 기판을 금속 유기물로 처리하는 단계; 및상기 기판 주위에 전이금속 원소를 포함하는 전이금속 전구체 및 칼코겐 원소를 포함하는 칼코겐 전구체를 제공하여 상기 기판에 전이금속 칼코겐 화합물을 합성하는 단계;를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 유기물은 상기 기판에 상기 전이금속 전구체 및 상기 칼코겐 전구체의 흡착을 유도하는 금속을 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 유기물은 Al, Ti 및 Ni로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 금속 유기물은 Trimethylaluminum, tris(demethylamido)aluminum, triisbutylaluminum, titanium isopropoxide, tetrakis(dimethylamido)titanium, Bis(cyclopentadinenyl)nickell, 및 Bis(ethylcyclopentadienyl)nickel로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 하기의 003c#화학식 1003e#로 표시되는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 전이금속 원소는 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W, Tc, Re, Co, Rh, Ir, Ni
7 7
제 1 항에 있어서,상기 전이금속 전구체는 전이금속 할라이드(halide)를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 전이금속 할라이드는 MoF3, MoF6, MoF4, Mo4F20, MoCl2, MoCl3, MoCl6, MoCl4, MoCl5, MoBr3, MoBr4, MoI2, MoI3, MoI4, WF6, WF4, [WF5]4, WCl2, WCl6, WCl4, [WCl5]2, [W6Cl12]Cl6, WBr3, WBr6, WBr4, WBr5, W6Br14, WI2, WI3, WI4, VF2, VF3, VF4, VF5, VCl2, VCl3, VCl4, VBr2, VBr3, VBr4, VI2, VI3, VI4, NbCl3, NbCl4, NbCl5, NbBr4, NbBr5, NbI3, NbI4, NbI5, TaF3, [TaF5]4, TaCl3, TaCl4, TaCl5, TaBr3, TaBr4, TaBr5, TaI4, TaI5, TiF2, TiF3, TiF4, TiCl4, TiCl3, TiCl2, TiBr3, TiBr4, HfCl4, HfBr2, HfBr4, HfI3, HfI4, ZrF4, ZrCl2, ZrCl3, ZrCl4, ZrBr3, ZrBr4, ZrI2, ZrI3, ZrI4, TcF6, TcF5, TcCl4, TcCl6, TcBr4, ReF6, ReF4, ReF5, ReF7, Re3Cl9, ReCl5, ReCl4, ReCl6, ReBr3, ReBr4, ReBr5, ReI3, ReI4, CoF2, CoF3, CoF4, CoCl2, CoCl3, CoBr2, CoI2, RhF3, RhF6, RhF4, [RhF5]4, RhCl3, RhBr3, RhI3, IrF3, IrF6, IrF4, [IrF5]4, IrCl2, IrCl3, IrCl4, IrBr2, IrBr3, IrBr4, IrI2, IrI3, IrI4, NiF2, NiCl2, NiBr2, NiI2, PdF2, PdF4, PdCl2, PdBr2, PdI2, PtF6, PtF4, [PtF5]4, PtCl2, PtCl3, PtCl4, Pt6Cl12, PtBr2, PtBr3, PtBr4, PtI2, PtI3, PtI4, GaF3, GaCl2, GaCl3, GaBr3, GaI3, SnF2, SnF4, SnCl2, SnCl4, SnBr2, SnBr4, SnI2, 및 SnI4 으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 칼코겐 전구체는 황(sulfur), 황화수소(H2S), 디에틸설파이드(diethyl sulfide), 디메틸디설파이드(dimethyl disulfide), 에틸메틸설파이드(Ethyl methyl sulfide), (Et3Si)2S, 셀레늄 기체(selenium vapor), 셀레늄화수소(H2Se), 디에틸셀레나이드(diethyl selenide), 디메틸디셀레나이드(dimethyl diselenide), 에틸메틸셀레나이드(ethyl methyl selenide), (Et3Si)2Se, 텔레늄 기체 (Telenium vapor), 텔레늄화수소(H2Te), 디메틸텔루라이드(dimethyl telluride), 디에틸텔루라이드(diethyl telluride), 에틸메틸텔루라이드(Ethyl methyl telluride) 및 (Et3Si)2Te 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 기판은 규소, 산화규소, 산화알루미늄, 산화 마그네슘, 탄화규소, 질화규소, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀, 폴리이미드 공중합체, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 플루오르폴리머 (FEP), 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 기판을 상기 금속 유기물로 처리하는 단계는,상기 기판 주위에 상기 금속 유기물을 제공하는 단계; 및상기 기판 주위를 열처리하여 상기 금속 유기물을 분해시키는 단계;를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 금속 유기물의 분해에 따라 생성된 금속은 상기 기판에 형성되는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 열처리는 300℃ ~ 500℃에서 수행되는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물 박막은 원자층 증착(ALD; Atomic Layer Deposition) 공정 또는 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition) 공정에 의해 형성되는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
15 15
제 1 항에 있어서,상기 기판을 상기 금속 유기물로 처리하는 단계는 상기 전이금속 칼코겐 화합물을 합성하기 전에 수행되거나 또는 상기 전이금속 칼코겐 화합물을 합성하는 중에 수행되는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
16 16
제 1 항에 있어서,상기 전이금속 전구체 및 상기 칼코겐 전구체는 상기 기판에 동시에 또는 교대로 제공되는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
17 17
기판에 전이금속 칼코겐 화합물 박막을 형성하는 방법에 있어서,상기 기판을 금속 유기물로 처리하는 단계; 및원자층 증착(ALD) 공정을 이용하여 상기 기판에 전이금속 칼코겐 화합물을 합성하는 단계;를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성은 300℃ ~ 500℃에서 수행되는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
19 19
기판에 전이금속 칼코겐 화합물 박막을 형성하는 방법에 있어서,상기 기판을 금속 유기물로 처리하는 단계; 및화학기상증착(CVD) 공정을 이용하여 상기 기판에 전이금속 칼코겐 화합물을 합성하는 단계;를 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성은 300℃ ~ 500℃에서 수행되는 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.