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금속산화물이 (001)면에 흡착된 산화몰리브덴 결정(crystal)으로 이루어진 산화몰리브덴 나노판(nano-plate)
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제1항에 있어서,상기 산화몰리브덴 결정이 [100] 방향으로 결정성장된 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판
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제1항에 있어서,상기 나노판의 직경은 1 내지 500 μm인 산화몰리브덴 나노판
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제3항에 있어서,상기 나노판의 두께는 10 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판
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제1항에 있어서,상기 산화몰리브덴 결정격자 길이 대비 상기 금속산화물의 결정격자의 길이 비가 1 : 0
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제1항에 있어서,상기 금속산화물은 TiO2인 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판
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제1항에 있어서,상기 산화몰리브덴 나노판은 α-MoO3 단결정, h-MoO3 단결정 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판
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8
제1항에 있어서,상기 산화몰리브덴 나노판의 표면에 코팅된 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판
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제8항의 산화몰리브덴 나노판을 이용한 광택 안료
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(a) 수계용매(water-base solvent)와 몰리브덴 전구체(precursor)를 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계;(b) 상기 혼합용액에 금속전구체를 첨가하여 반응용액을 단계; 및(c) 상기 반응용액을 수열 반응을 수행하여 나노판을 제조하는 단계를 포함하는 산화몰리브덴 나노판(nano-plates)의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 수계용매는 증류수, 탈이온수 및 저급 알코올로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 혼합용매인 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판(nano-plates)의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 몰리브덴 전구체는 헵타몰리브덴산 암모늄(AHM)인 것을 특징으로 하는 삼산화몰리브덴 나노판의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속전구체는 0
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제 10 항에 있어서,상기 금속전구체는 티타늄 전구체인 것을 특징으로 하는 삼산화몰리브덴 나노판의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 티타늄 전구체는 티타늄 플로라이드 (TiF4), 티타늄 클로라이드(TiCl4), 티타늄 브로마이드 (TiBr4), 티타늄 아이오다이드(TiI4), 티타늄 메톡사이드 (titanium methoxide), 티타늄 에톡사이드(titanium ethoxide), 티타늄 프로폭사이드(titanium propoxide), 티타늄 부톡사이드(titanium butoxide), 티타늄 이소프로폭사이드(Titanium isopropoxide), 티타늄 아세테이트(titanium acetate), 티타늄 아세테이트 하이드레이트(titanium acetate hydrate), 티타늄 아세틸아세토네이트(titanium acetylacetonate), 티타늄 나이트레이트(Ti(NO3)4), 티타늄 나이트레이트 하이드레이트(titanium nitrate hydrate), 티타늄 설페이트(Ti(SO4)2), 티타늄 설페이트 하이드레이트(titanium sulfate hydrate), 티타늄 옥시플로라이드 (TiOF2), 티타늄 옥시클로라이드 (TiOCl2), 티타늄 옥시브로마이드 (TiOBr2) 및 티타늄 옥시아이오다이드 (TiOI2)으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상인 것을 특징으로 하는 삼산화몰리브덴 나노판의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 (c) 단계는, h-MoO3 중간체 상으로부터 α-MoO3으로 전환되는 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 (c) 단계는, 70 분(min) 내지 12 시간(h) 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 수열 반응 단계는, 100 내지 400 ℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판의 제조방법
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제 10 항에 있어서,(d) 상기 제조된 나노판의 표면에 금속산화물을 코팅시키는 단계를 더 포함하는 산화몰리브덴 나노판의 제조방법
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제 19 항에 있어서,상기 금속산화물의 굴절률은 산화몰리브덴의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 산화몰리브덴 나노판의 제조방법
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