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전도성 기판;상기 전도성 기판 상에 적층된 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 적층된 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 적층된 금속층; 및상기 금속층 상에 적층된 나노구조의 광촉매층;을 포함하는 광전극
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청구항 1에 있어서,상기 n형 반도체층은, n형 산화구리로 형성된 광전극
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청구항 1에 있어서,상기 p형 반도체층은, p형 산화구리로 형성된 광전극
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청구항 1에 있어서,상기 광촉매층은, 상기 금속층의 외측으로 뻗은 나노로드 형태로 형성된 다수의 광촉매 물질이 배열되어 형성된 광전극
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청구항 4에 있어서,상기 광촉매 물질은, 산화아연(ZnO)인 광전극
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6
청구항 1에 있어서,상기 n형 반도체층의 두께는 1 ~ 2 ㎛인 광전극
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청구항 1에 있어서,상기 p형 반도체층의 두께는 500 ㎚ ~ 1 ㎛인 광전극
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8
전도성 기판 상에 제1 p형 산화구리를 전착하여, 제1 p형 산화구리층을 형성하는 단계;황산구리(copper sulfate) 용액에 상기 제1 p형 산화구리층을 침지하여, 상기 제1 p형 산화구리층을 n형 산화구리층으로 전환시키는 단계;상기 n형 산화구리층 상에 제2 p형 산화구리를 전착하여, 제2 p형 산화구리층을 형성하는 단계;상기 제2 p형 산화구리층 상에 금속을 증착하여, 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층 상에 나노구조의 광촉매층을 형성하는 단계;를 포함하는 광전극 제조방법
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9
청구항 6에 있어서,상기 광촉매층 형성 단계는, 상기 금속층 상에 시드층을 형성하는 단계; 및상기 시드층으로부터 광촉매 물질을 나노로드 형태로 성장시키는 단계;를 포함하는 광전극 제조방법
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10
청구항 9에 있어서,상기 시드층은, 아연 아세테이트(zinc acetate)이 용해된 용액이 상기 금속층 상에 코팅되어 형성되며,상기 광촉매 물질은, 산화아연(ZnO)인 광전극 제조방법
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