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탄소나노물질 및 NASICON(NA Super Ionic CONductor)계 세라믹 입자를 포함하는 평막 또는 중공사막 형태의 막 구조체로서,상기 탄소나노물질 및 상기 NASICON계 세라믹 입자가 서로 얽힌 3차원 망상 구조체로 형성되는 것을 특징으로 하는 막 구조체
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제1항에 있어서,상기 막 구조체는,상기 탄소나노물질이 서로 얽혀 탄소나노물질 구조물로 형성되고,상기 NASICON계 세라믹 입자가 상기 탄소나노물질 구조물에 결합되는 것을 특징으로 하는 막 구조체
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제1항에 있어서,상기 막 구조체는,수처리 과정에서 전기화학적 탈염 공정의 양이온 흡착 전극 및 막 여과공정의 분리막의 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 막 구조체
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제1항에 있어서,상기 막 구조체는,축전식 탈염 공정용 막 구조체로서 전기장에 의한 물리적 이온 흡착과 전기화학 반응에 의한 화학적 이온 흡착을 수행하는 것을 특징으로 하는 막 구조체
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제1항에 있어서,상기 막 구조체는 비표면적이 20 m2/g 내지 400 m2/g 인 것을 특징으로 하는 막 구조체
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제1항에 있어서,상기 막 구조체는 크기가 1 nm 내지 100 nm인 다수 개의 기공을 갖는 것을 특징으로 하는 막 구조체
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제1항에 있어서,상기 막 구조체는 다수 개의 미세 기공과 메조 기공을 포함하고,상기 미세 기공의 부피는 1
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제1항에 있어서,상기 탄소나노물질은 탄소나노튜브, 그래핀, 탄소섬유, 탄소나노와이어, 활성탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 막 구조체
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제1항에 있어서,상기 NASICON계 세라믹 입자는 Li, Na, P, O, F, Ca, Ti, Si, Zr, Eu, V, Zn, Fe, Mn, Ni, Co, Ge, Cr 로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 막 구조체
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제1항에 있어서,상기 NASICON계 세라믹 입자는 1 nm 내지 200 um 크기의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 막 구조체
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수처리 공정 장치에 있어서,탄소나노물질 및 NASICON계 세라믹 입자로 구성된 평막 또는 중공사막 형태의 막 구조체를 축전식 탈염 공정의 양이온 흡착 전극으로 사용하고,상기 양이온 흡착 전극이 음이온 흡착 전극과 서로 일정 간격으로 배치된 축전식 탈염 공정을 위한 반응조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수처리 공정 장치
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a) NASICON계 세라믹 입자를 제조하는 단계; 및b) 상기 NASICON계 세라믹 입자가 탄소나노물질과 서로 얽힌 평막 또는 중공사막 형태의 막 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 막 구조체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 b) 단계는,습식 방사, 전기 방사, 닥터 블레이드 코팅, 침지-인상법 중에서 선택되는 1종 이상의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 막 구조체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 b) 단계는상기 NASICON계 세라믹 입자와 상기 탄소나노물질을 유기용매 또는 수성용매에 분산하는 것을 특징으로 하는 막 구조체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 b) 단계는,NASICON계 세라믹 물질, 탄소나노물질, 고분자가 분산된 용액을 처리하여 상기 막 구조체를 고정되게 형성하는 것을 특징으로 하는 막 구조체 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 막 구조체 제조 방법은,c) 상기 막 구조체를 열처리하여 상기 고분자를 제거 또는 탄화시키는 단계를 더 포함하는 막 구조체 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 고분자는 폴리비닐계, 폴리스티렌계, 폴리비닐리덴플루오라이드계, 폴리아크릴계, 폴리아크릴로나이트릴계, 레이온계 또는 이들 고분자의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 막 구조체 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 c) 단계는,열처리 공정에 의해 상기 탄소나노물질과 탄화된 상기 고분자가 결합되어 복합체를 형성하는 것을 특징으로 하는 막 구조체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 탄소나노물질은 탄소나노튜브, 그래핀, 탄소섬유, 탄소나노와이어, 활성탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 막 구조체 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 NASICON계 세라믹 입자는 Li, Na, P, O, F, Ca, Ti, Si, Zr, Eu, V, Zn, Fe, Mn, Ni, Co, Ge, Cr 로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 막 구조체 제조 방법
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