맞춤기술찾기

이전대상기술

발광소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021000659
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층을 식각하는 단계, 상기 버퍼층 상에 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계 및 상기 발광 구조물 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 버퍼층을 식각하는 단계는 상기 버퍼층 상에 패턴층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층의 상면에 리세스를 형성하는 단계 및 상기 패턴층을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 패턴층의 두께는 5nm 내지 990nm이며 피치 간격은 10nm 내지 99㎛이고, 상기 리세스를 형성하는 단계는 전기화학 식각(electrochemical etch)을 이용하는 단계이다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020190089955 (2019.07.25)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0012354 (2021.02.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최낙준 서울특별시 중구
2 김지현 서울특별시 강남구
3 최용하 경기도 안양시 동안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0763040-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층을 식각하는 단계;상기 버퍼층 상에 제 1 도전형 반도체층; 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계; 및상기 발광 구조물 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 버퍼층을 식각하는 단계는,상기 버퍼층 상에 패턴층을 형성하는 단계;상기 버퍼층의 상면에 리세스를 형성하는 단계; 및상기 패턴층을 제거하는 단계를 포함하고,상기 패턴층의 두께는 5nm 내지 990nm이며, 피치 간격은 10nm 내지 99㎛이고,상기 리세스를 형성하는 단계는 전기화학 식각(electrochemical etch)을 이용하는 단계인 발광소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 AlN을 포함하는 발광소자의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 리세스를 형성하는 단계는, 인가 전압에 따라 상기 버퍼층의 식각 속도를 제어할 수 있고, 상기 인가 전압은 4V 내지 20V인 발광소자의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 패턴층을 형성하는 단계는,쉐도우 마스크 또는 포토리소그래피를 이용하여 상기 버퍼층 상에 상기 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 패턴층을 형성하는 단계는,상기 버퍼층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층을 열처리하여 상기 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.