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팔라듐 기반 센서 제조 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2021000744
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 팔라듐 기반 센서 제조 방법은, 전기방사를 이용하여 제1 기판 위에 다공성을 가지는 집합체를 형성하는 단계와, 상기 집합체에 소정 두께로 팔라듐을 증착하는 단계와, 상기 팔라듐이 증착된 상기 집합체를 제2 기판 상에 배치하는 단계와, 유기용매제를 이용하여 상기 제2 기판 상에 배치된 집합체를 녹임에 기초하여, 상기 집합체 형상의 공간을 포함하는 팔라듐 튜브를 형성하는 단계와, 상기 제2 기판 및 상기 팔라듐 튜브를 이용하여 팔라듐 기반 센서를 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL G01N 27/407 (2006.01.01) G01N 33/00 (2006.01.01) C23C 14/58 (2006.01.01) C23C 14/02 (2006.01.01) C23C 14/20 (2006.01.01)
CPC G01N 27/407(2013.01) G01N 33/005(2013.01) C23C 14/5873(2013.01) C23C 14/02(2013.01) C23C 14/20(2013.01)
출원번호/일자 1020190092686 (2019.07.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0014514 (2021.02.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.30)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박인규 대전광역시 유성구
2 조민규 대전광역시 유성구
3 지안성주 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0783852-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0136543-78
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0639807-67
7 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2020.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-1224009-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1224007-13
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-1224006-78
10 [출원서 등 보완]보정서
2020.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-1224008-69
11 등록결정서
Decision to grant
2020.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0820276-14
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번호 청구항
1 1
전기방사를 이용하여 제1 기판 위에 다공성을 가지는 집합체를 형성하는 단계와, 상기 집합체에 소정 두께로 팔라듐을 증착하는 단계와, 상기 팔라듐이 증착된 상기 집합체를 제2 기판 상에 배치하는 단계와, 유기용매제를 이용하여 상기 제2 기판 상에 배치된 집합체를 녹임에 기초하여, 상기 집합체의 형상에 대응하되 팔라듐으로 구성되는 팔라듐 튜브 집합체를 형성하는 단계와, 상기 제2 기판 및 상기 팔라듐 튜브 집합체를 이용하여 팔라듐 기반 센서를 제조하는 단계를 포함하는 팔라듐 기반 센서 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 집합체를 형성하는 단계는, 소정 크기의 개구부를 가지며 상기 집합체를 구성할 물질이 내부에 포함된 물체와 상기 제1 기판 사이에 소정 전압이 인가되도록 하여 상기 개구부로 상기 물질이 방출됨에 기초하여 상기 다공성을 가지는 집합체를 형성하는 단계를 포함하는팔라듐 기반 센서 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 다공성을 가지는 집합체는, PVA(polyvinyl alcohol)로 구성되는팔라듐 기반 센서 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 팔라듐을 증착하는 단계는,상기 집합체가 진공 챔버에 위치됨에 기초하여, 상기 진공 챔버 내에서 상기 팔라듐을 증착하는 단계를 포함하는 팔라듐 기반 센서 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 다공성을 가지는 집합체는, 실 형태의 물질이 그룹화되어 내부에 공간이 포함됨에 기초하여 상기 다공성을 가지게 되고, 상기 실 형태의 물질의 단면은 원형인팔라듐 기반 센서 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 팔라듐 튜브 집합체를 구성하는 팔라듐 튜브는, 하프파이프의 형태를 가지는 팔라듐 기반 센서 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 기판은 소정 크기의 홀을 가지고, 상기 집합체의 적어도 일부는 상기 제1 기판의 홀 상부에서 공중부유된 채로 형성되는팔라듐 기반 센서 제조 방법
8 8
전기방사를 이용하여 제1 기판 위에 다공성을 가지는 집합체를 형성하는 집합체 형성부와, 상기 집합체에 소정 두께로 팔라듐을 증착하는 증착부와, 상기 팔라듐이 증착된 상기 집합체를 센서를 구성할 제2 기판 상에 배치하는 배치부와, 유기용매제를 이용하여 상기 제2 기판 상에 배치된 집합체를 녹임에 기초하여, 상기 집합체의 형상에 대응하되 팔라듐으로 구성되는 팔라듐 튜브 집합체를 형성하는 튜브 형성부와, 상기 제2 기판 및 상기 팔라듐 튜브 집합체를 이용하여 팔라듐 기반 센서를 제조하는 센서 제조부를 포함하는 팔라듐 기반 센서 제조 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 집합체 형성부는, 소정 크기의 개구부를 가지며 상기 집합체를 구성할 물질이 내부에 포함된 물체와 상기 제1 기판 사이에 소정 전압이 인가되도록 하여 상기 개구부로 상기 물질이 방출됨에 기초하여 상기 다공성을 가지는 집합체를 형성하는 팔라듐 기반 센서 제조 장치
10 10
제8항에 있어서,상기 다공성을 가지는 집합체는, PVA(polyvinyl alcohol)로 구성되는팔라듐 기반 센서 제조 장치
11 11
제8항에 있어서,상기 증착부는, 상기 집합체가 진공 챔버에 위치됨에 기초하여, 상기 진공 챔버 내에서 상기 팔라듐을 증착하는 팔라듐 기반 센서 제조 장치
12 12
제8항에 있어서,상기 다공성을 가지는 집합체는, 실 형태의 물질이 그룹화되어 내부에 공간이 포함됨에 기초하여 상기 다공성을 가지게 되고, 상기 실 형태의 물질의 단면은 원형인팔라듐 기반 센서 제조 장치
13 13
제8항에 있어서,상기 팔라듐 튜브 집합체를 구성하는 팔라듐 튜브는, 하프파이프의 형태를 가지는 팔라듐 기반 센서 제조 장치
14 14
제8항에 있어서, 상기 제1 기판은 소정 크기의 홀을 가지고, 상기 집합체 형성부는, 상기 제1 기판의 홀 상부에서 공중부유된 상태로 상기 집합체의 적어도 일부를 형성하는팔라듐 기반 센서 제조 장치
15 15
기판과, 상기 기판 상에 배치되는 팔라듐 튜브 집합체를 포함하고, 상기 팔라듐 튜브 집합체는, 전기방사를 이용하여 형성된 다공성을 가지는 집합체 상에 소정 두께로 팔라듐이 증착되고, 상기 팔라듐이 증착된 집합체가 상기 기판에 배치됨에 기초하여, 상기 팔라듐이 증착된 집합체 중 집합체에 상응하는 부분이 유기용매제에 의해 녹여짐에 기초하여 형성되는팔라듐 기반 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 한국과학기술원연구운영비지원(주요사업비) 실리콘나노구조기반센서와마이크로/나노다공성가스세퍼레이터를이용한고감도가스감지시스템개발
2 과학기술정보통신부 연세대학교 집단연구지원(R&D) 초정밀 광 기계기술 연구센터