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반도체층 및 저항 변화층을 포함하는 수직 적층형 구조의 메모리 셀 어레이; 독출 모드시, 상기 메모리 셀 어레이 중 비선택 메모리 셀의 반도체층에만 전류-온시키는 제1 전압을 인가하고, 상기 셀 어레이 중 선택 메모리 셀의 반도체층 및 저항 변화층 모두에 전류-온시키는 제2 전압을 인가하도록 제어하는 제어 로직; 및 상기 선택 메모리 셀에 독출 전압을 인가하는 비트 라인;을 포함하는 상기 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 제2 전압의 절대값은 상기 제1 전압의 절대값보다 작은 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 제2 전압의 절대값은,상기 메모리 셀 어레이 중 상기 선택 메모리 셀의 저항 변화층에만 전류-온 시키는 제3 전압의 절대값보다 큰 비휘발성 메모리 장치
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제 3항에 있어서, 프로그램 모드시, 상기 제어 로직은, 상기 비선택 메모리 셀의 반도체층에만 전류-온시키는 제1 전압을 인가하고, 상기 선택 메모리 셀의 저항 변화층에만 전류-온시키는 상기 제3 전압을 인가하도록 제어하고,상기 비트라인은,상기 선택 메모리 셀에 프로그램 전압을 인가하는 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 제2 전압의 크기는, 상기 선택 메모리 셀의 반도체층의 저항이 104Ω 내지 1012 Ω이 되도록 하는 크기인 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 제2 전압의 크기는, 상기 선택 메모리 셀의 반도체층 및 저항 변화층의 합성 저항의 최소 값에 대한 최대값의 비가 10이하가 되도록 하는 크기인 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 제2 전압의 크기는, 상기 선택 메모리 셀에 대응하는 반도체층의 저항이 상기 선택 메모리 셀에 대응하는 저항 변화층의 최소 저항 이상이 되도록 하는 크기인 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 제2 전압의 크기는, 상기 선택 메모리 셀에 대응하는 반도체층의 저항이 상기 선택 메모리 셀에 대응하는 저항 변화층의 최대 저항 이하가 되도록 하는 크기인 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 선택 메모리 셀의 상기 반도체층과 상기 저항 변화층은 병렬 연결 구조인 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이는, 제 1 방향으로 연장된 반도체층(semiconducting layer);상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 연장되고, 서로 교번적으로 배치된 복수의 게이트(gate) 및 복수의 절연체(insulating layer);상기 복수의 게이트 및 상기 복수의 절연체, 상기 반도체층 사이에서 상기 제 1 방향을 따라 연장되는 게이트 절연층; 및 상기 반도체층상에 상기 제1 방향으로 연장된 저항 변화층;을 포함하는 비휘발성 메모리
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제 1항에 있어서,상기 저항 변화층은,상기 반도체층과 접하는 비휘발성 메모리
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제 1항에 있어서,상기 저항 변화층은,상기 반도체층을 사이에 두고 상기 게이트 절연층과 이격 배치되는 비휘발성 메모리
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제 1항에 있어서, 상기 저항 변화층은, 산소 공공에 의한 현상 또는 전자의 트랩/디트랩에 의한 전류 전도 메커니즘에 의해 저항이 변하는 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 저항 변화층은,전이금속산화물 및 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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반도체층 및 저항 변화층을 포함하는 수직 적층형 구조의 메모리 셀 어레이 중 비선택 메모리 셀의 반도체층에만 전류-온시키는 제1 전압을 인가하고, 상기 메모리 셀 어레이 중 선택 메모리 셀의 반도체층 및 저항 변화층 모두에 전류-온시키는 제2 전압을 인가시키는 단계; 및 상기 메모리 셀 어레이 중 선택 메모리 셀에 독출 전압을 인가하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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제 15항에 있어서,상기 제2 전압의 절대값은 상기 제1 전압의 절대값보다 작은 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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제 15항에 있어서, 상기 제2 전압의 절대값은,상기 메모리 셀 어레이 중 상기 선택 메모리 셀의 저항 변화층에만 전류-온 시키는 제3 전압의 절대값보다 큰 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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제 15항에 있어서, 상기 제2 전압의 크기는, 상기 선택 메모리 셀의 반도체층 및 저항 변화층의 합성 저항의 최소 값에 대한 최대값의 비가 10이하가 되도록 하는 크기인 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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제 15항에 있어서, 상기 제2 전압의 크기는, 상기 선택 메모리 셀에 대응하는 반도체층의 저항이 상기 선택 메모리 셀에 대응하는 저항 변화층의 최소 저항 이상이 되도록 하는 크기인 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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제 16항에 있어서, 상기 선택 메모리 셀의 반도체층과 저항 변화층은 병렬 연결 구조인 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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