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전극 적층기술을 이용한 3차원 구조의 전극을 구비하는 이차전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021000784
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극 적층기술을 이용한 3차원 구조의 전극을 구비하는 이차전지의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 3차원 구조의 전극을 구비하는 이차전지를 제조하는 방법에 있어서, 하우징 내부에 양극 집전체와 음극 집전체가 서로 번갈아가며 일렬로 배치되도록 패터닝된 집전체를 배치하는 단계; 상기 양극 집전체 상부에 3D 프린터의 노즐을 이용하여 양극 활물질 슬러리를 1회 이상 적층 인쇄하는 단계; 상기 음극 집전체 상부에 3D 프린터의 노즐을 이용하여 음극 활물질 슬러리를 1회 이상 적층 인쇄하는 단계; 및 상기 하우징 내부에 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 전극 적층기술을 이용한 이차전지의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01M 10/0585 (2010.01.01) H01M 4/139 (2010.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 10/0569 (2010.01.01) H01M 10/0568 (2010.01.01) H01M 10/0565 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01)
CPC H01M 10/0585(2013.01) H01M 4/139(2013.01) H01M 4/0414(2013.01) H01M 4/0419(2013.01) H01M 10/0569(2013.01) H01M 10/0568(2013.01) H01M 10/0565(2013.01) H01M 10/052(2013.01) H01M 2300/0085(2013.01)
출원번호/일자 1020190093832 (2019.08.01)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0015257 (2021.02.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍영규 대전광역시 유성구
2 김병량 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0791667-22
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0800585-99
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0280385-24
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3차원 구조의 전극을 구비하는 이차전지를 제조하는 방법에 있어서,하우징 내부에 양극 집전체와 음극 집전체가 서로 번갈아가며 일렬로 배치되도록 패터닝된 집전체를 배치하는 단계;상기 양극 집전체 상부에 3D 프린터의 노즐을 이용하여 양극 활물질 슬러리를 1회 이상 적층 인쇄하는 단계;상기 음극 집전체 상부에 3D 프린터의 노즐을 이용하여 음극 활물질 슬러리를 1회 이상 적층 인쇄하는 단계; 및상기 하우징 내부에 전해질을 주입하는 단계;를 포함하는 전극 적층기술을 이용한 이차전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 양극 활물질은 리튬 전이금속 산화물을 포함하고,상기 전이금속은 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn) 및 철(Fe)로 이루어진 군 중에서 적어도 하나를 포함하는 것인, 전극 적층기술을 이용한 이차전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 음극 활물질은 흑연, 실리콘, 비정질 탄소, 하드카본, 소프트카본 및 리튬 산화물로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인, 전극 적층기술을 이용한 이차전지의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 적층 인쇄는 스크린 프린팅, 노즐젯 또는 잉크젯 인쇄 방법을 사용하는 것인, 전극 적층기술을 이용한 이차전지의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 전해질은 카보네이트 계열 유기 용매 내에 LiPF6, LiBF4, 또는 LiClO4이 혼합된 것인, 전극 적층기술을 이용한 이차전지의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 전해질은 고분자 및 가교제를 혼합하고 개시제를 첨가하여 겔화된 겔 전해질인 것인, 전극 적층기술을 이용한 이차전지의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 고분자는 PVDF(폴리(비닐리덴 플루오라이드)), PVDF-HFP(폴리(비닐리덴 플루오라이드)-헥사플루오로프로필렌) 및 헥실 아크릴레이트(Hexyl acrylate)로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인, 전극 적층기술을 이용한 이차전지의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 가교제는 PEDA(poly(ethylene glycol) diacrylate) 또는 DPXA( dipentaerythritol hexa acrylate)이고,상기 개시제는 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논(4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone)인, 전극 적층기술을 이용한 이차전지의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 전자부품연구원 기술확산지원(R＆D) 3D 프린팅 기반 탄소융·복합 유연소재 공정플랫폼 기술개발