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기판 상에 고분자로 양각 패턴을 형성하는 단계(단계 1);화학기상증착법을 이용하여 상기 기판 중 상기 양각 패턴이 형성되지 않은 부분에 선택적으로 페로브스카이트 구조를 위한 제1 전구체를 증착하는 단계(단계 2);상기 선택적으로 증착된 제1 전구체와 페로브스카이트 구조를 위한 제2 전구체를 반응시켜 패턴화된 페로브스카이트 층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1은기판 상에 광경화성 고분자를 코팅하는 단계;코팅된 고분자 상에 패터닝된 마스크를 적층하는 단계; 및마스킹된 광경화성 고분자를 경화시키는 단계;를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법
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제3항에 있어서, 상기 광경화성 고분자는 글리시딜 메타크릴레이트-2-니트로벤질옥시카보닐아미노에틸 메타크릴레이트 불규칙 공중합체[poly(glycidyl methacrylate-random-2-((((2-nitrobenzyl)oxy)carbonyl)amino)ethyl methacrylate) 혹은 P(GMA-r-NBOCMA)]인 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2는 200 내지 240 ℃의 온도 분위기에서 1 내지 10 분동안 화학기상증착을 하여 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 전구체는 요오드 화 납이고, 제2 전구체는 CH3NH3I인 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3은 제2 전구체를 기상으로 공급하여 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법
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제1항의 방법으로 제조되고, 패턴을 포함하는 페로브스카이트 층
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제8항의 페로브스카이트 층을 광활성층으로 포함하는 태양전지
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제8항의 페로브스카이트 층을 포함하는 광센서
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