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제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 정공 전달층;상기 정공 전달층 상에 제1 페로브스카이트 화합물로 형성된 페로브스카이트층; 상기 페로브스카이트층 상에 형성된 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상에 형성된 제2 전극; 및 상기 정공 전달층 및 상기 페로브스카이트층 사이에 제2 페로브스카이트 화합물로 형성된 경사 벽(graded-wall)을 포함하고,상기 제1 페로브스카이트 화합물 및 상기 제2 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되며, 상기 경사 벽은 상기 페로브스카이트층에 포함된 음이온의 이동을 억제하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 경사 벽의 음이온의 농도가 상기 페로브스카이트층의 음이온의 농도보다 커서 상기 페로브스카이트층에 포함된 음이온의 이동이 억제되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 경사 벽의 공극(void)의 크기는 상기 페로브스카이트층에 포함된 음이온의 크기보다 작아 상기 페로브스카이트층에 포함된 음이온의 이동이 억제되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
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제3항에 있어서,상기 경사 벽은 금속 칼코겐 화합물, 금속 산화물, 금속 할라이드 및 금속 박막을 포함하는 무기 박막과, 그라펜 박막, 고분자 박막, 가교 고분자 박막 및 단분자 박막을 포함하는 유기 박막 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 경사 벽의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광전소자의 발광수명(T90, at 100cd/m2)은 2,000시간 내지 200,000,000시간인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
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기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 정공 전달층을 형성하는 단계;상기 정공 전달층 상에 제2 페로브스카이트 화합물로 경사 벽(graded-wall)을 형성하는 단계;상기 경사 벽 상에 제1 페로브스카이트 화합물로 페로브스카이트층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트층 상에 전자 전달층을 형성하는 단계; 및상기 전자 전달층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 페로브스카이트 화합물 및 상기 제2 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되며, 상기 경사 벽은 상기 페로브스카이트층에 포함된 음이온의 이동을 억제하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 경사 벽은 상기 정공 전달층 상에 상기 제2 페로브스카이트 화합물이 스프레이 코팅(spray coating)되어 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 스프레이 코팅은 0
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제8항에 있어서,상기 스프레이 코팅이 수행되는 시간에 따라 상기 경사 벽의 두께가 조절되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 경사 벽의 두께는 0
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