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질화알루미늄(Aluminum nitride, AlN) 기판의 표면에 고에너지빔을 조사하여, 결함 표면을 생성하는 단계;상기 결함 표면 중 일부 영역이 노출되도록, 마스크를 패터닝하는 단계;상기 질화알루미늄 기판을 식각액에 침지시켜, 노출된 상기 일부 영역을 습식 식각하는 단계; 및습식 식각된 상기 질화알루미늄 기판을 열처리하여, 상기 결함 표면을 회복시키는 단계;를 포함하는 AlN의 선택적 습식 식각 방법
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청구항 1에 있어서,상기 결함 표면에서, 질소 원자가 이탈되는 AlN의 선택적 습식 식각 방법
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청구항 1에 있어서,상기 고에너지빔은, 5 ~ 15 MeV의 양성자 빔인 AlN의 선택적 습식 식각 방법
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청구항 1에 있어서,상기 열처리는, 질소 분위기하에서 진행되는 AlN의 선택적 습식 식각 방법
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청구항 4에 있어서,상기 열처리는, 850 ~ 950 ℃에서, 1 ~ 3분 동안 진행되는 AlN의 선택적 습식 식각 방법
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청구항 1에 있어서,상기 습식 식각에 의해서 육각 피라미드 또는 역육각 피라미드 형태의 에치 피트(etch pit)가 형성되는 AlN의 선택적 습식 식각 방법
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청구항 1에 있어서,상기 마스크는, 상기 결함 표면에 밀착되어, 노출된 상기 일부 영역을 제외한 영역으로 상기 식각액이 침투되는 것을 방지하는 AlN의 선택적 습식 식각 방법
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