1 |
1
하기 화학식1로 표시되는, N-헤테로고리 화합물:[화학식1]상기 화학식1에서,Ar은 치환되거나 치환되지 않은 6원의 헤테로아릴 골격이고;R1은 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, C1-C30알킬, C3-C30시클로알킬, C6-C30아릴, C3-C30헤테로아릴 또는 이들의 조합이고;R2는 할로겐, 시아노, C1-C30알킬, C3-C30시클로알킬, C6-C30아릴, C3-C30헤테로아릴 또는 이들의 조합이고;n은 0 내지 3에서 선택되는 정수이고, 상기 n이 2 또는 3의 정수인 경우 상기 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 n이 0인 경우 3개의 치환체는 모두 수소이고;m은 2 또는 3의 정수이고;상기 Ar의 치환은 C1-C30알킬, 할로겐, 시아노, C3-C30시클로알킬, C1-C30알콕시, C6-C30아릴옥시, C6-C30아릴, 모노 또는 디C1-C30알킬아미노, 모노 또는 디C6-C30아릴아미노, 니트로, 히드록시 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체에 의해 임의의 탄소원자에서 일어나고; 상기 헤테로아릴은 서로 독립적으로 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상을 포함하고; 상기 n 또는 m에 의해 반복되는 치환체는 서로 동일하거나 상이할 수 있다
|
2 |
2
제 1항에 있어서,상기 화학식1에서,상기 Ar은,6개의 고리원 중 1 내지 3개의 질소원(=N-)을 포함하는, 치환되거나 치환되지 않은 6원의 헤테로아릴 골격인, N-헤테로고리 화합물
|
3 |
3
제 1항에 있어서,상기 화학식1의 m이 2인 경우,상기 Ar은 하기 구조에서 선택되는 것인, N-헤테로고리 화합물:상기 구조에서,R11 및 R12는 서로 독립적으로 C1-C30알킬, 할로겐, 시아노, C3-C30시클로알킬, C1-C30알콕시, C6-C30아릴옥시, C6-C30아릴 또는 이들의 조합이고;R13은 수소, C1-C30알킬, 할로겐, 시아노, C3-C30시클로알킬, C1-C30알콕시, C6-C30아릴옥시, C6-C30아릴 또는 이들의 조합이고;a은 0 내지 3에서 선택되는 정수이고, 상기 a가 0인 경우 3개의 치환체는 모두 수소이고;b은 0 내지 2에서 선택되는 정수이고, 상기 b가 0인 경우 2개의 치환체는 모두 수소이다
|
4 |
4
제 1항에 있어서,상기 화학식1의 m이 3인 경우,상기 Ar은 하기 구조에서 선택되는 것인, N-헤테로고리 화합물:상기 구조에서,R14는 C1-C30알킬, 할로겐, 시아노, C3-C30시클로알킬, C1-C30알콕시, C6-C30아릴옥시, C6-C30아릴 또는 이들의 조합이고;R15는 수소, C1-C30알킬, 할로겐, 시아노, C3-C30시클로알킬, C1-C30알콕시, C6-C30아릴옥시, C6-C30아릴 또는 이들의 조합이고;b은 0 내지 2에서 선택되는 정수이고, 상기 b가 0인 경우 2개의 치환체는 모두 수소이다
|
5 |
5
제 1항에 있어서,상기 화학식1에서,상기 R1은 수소, 할로겐, 시아노, C1-C30알킬, C6-C30아릴, C3-C30헤테로아릴 또는 이들의 조합이고;상기 R2는 C1-C30알킬, C3-C30시클로알킬 또는 이들의 조합이고;상기 n은 0 내지 3에서 선택되는 정수인, N-헤테로고리 화합물
|
6 |
6
제 1항에 있어서,상기 N-헤테로고리 화합물은,하기 화학식2 내지 화학식5로 표시되는 화합물에서 선택되는 적어도 하나인, N-헤테로고리 화합물:[화학식2][화학식3][화학식4][화학식5]상기 화학식2 내지 화학식5에서,A1 및 A2는 서로 독립적으로 -N= 또는 -CH=이고;R1은 서로 독립적으로 할로겐, 시아노, C1-C30알킬, C6-C30아릴, C3-C30헤테로아릴 또는 이들의 조합이고, 각각의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있고;R2는 서로 독립적으로 C1-C30알킬, C3-C30시클로알킬 또는 이들의 조합이고;n은 서로 독립적으로 0 내지 3에서 선택되는 정수이다
|
7 |
7
제 6항에 있어서,상기 화학식2 내지 화학식5에서,상기 R1은 서로 독립적으로 할로겐, 시아노, C1-C7알킬, C6-C12아릴, C3-C12헤테로아릴 또는 이들의 조합이고, 각각의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있고;상기 R2는 C1-C7알킬이고;상기 n은 0 내지 3에서 선택되는 정수인, N-헤테로고리 화합물
|
8 |
8
제 6항에 있어서,상기 화학식2 내지 화학식5에서,상기 n은 0의 정수인, N-헤테로고리 화합물
|
9 |
9
제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층으을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 제 1항 내지 제 8항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 N-헤테로고리 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자
|
10 |
10
제 9항에 있어서,상기 유기물층은,발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 N-헤테로고리 화합물을 함유하는 것인, 유기 발광 소자
|
11 |
11
제 10항에 있어서,상기 유기물층은,전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층은 상기 N-헤테로고리 화합물을 함유하는 것인, 유기 발광 소자
|
12 |
12
제 11항에 있어서,상기 전자 수송층은,유기재료로 이루어지는 제1 전자 수송층 및 제2 전자 수송층을 포함하며,상기 제1 전자 수송층 또는 제2 전자 수송층은 상기 N-헤테로고리 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자
|