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Kerfless 방식으로 제작된 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법

  • 기술번호 : KST2021001057
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법에 관한 것으로서, Kerfless 방식으로 제작된 실리콘 웨이퍼의 표면에 텍스쳐를 형성하는 방법에 있어서, 습식 세정 용액을 통해 상기 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정하는 세정단계; 상기 세정된 실리콘 웨이퍼를 제 1 산용액에 침지시켜 표면에 홀을 형성하는 전처리단계; 탈 이온수를 통해 상기 홀이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면을 세척하는 세척단계 및 상기 세척된 실리콘 웨이퍼를 제 2 산용액에 침지시켜 표면에 텍스쳐를 형성하는 식각단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 21/02052(2013.01) H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/02307(2013.01)
출원번호/일자 1020190099585 (2019.08.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0020378 (2021.02.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 경기도 양평군
2 이해석 서울특별시 송파구
3 강윤묵 서울특별시 성북구
4 정유진 서울특별시 동대문구
5 배수현 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
3 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0835616-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0187669-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0857342-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2021-0151390-06
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0151432-25
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번호 청구항
1 1
Kerfless 방식으로 제작된 실리콘 웨이퍼의 표면에 텍스쳐를 형성하는 방법에 있어서,습식 세정 용액을 통해 상기 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정하는 세정단계;상기 세정된 실리콘 웨이퍼를 제 1 산용액에 침지시켜 표면에 홀을 형성하는 전처리단계;탈 이온수를 통해 상기 홀이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면을 세척하는 세척단계; 및상기 세척된 실리콘 웨이퍼를 제 2 산용액에 침지시켜 표면에 텍스쳐를 형성하는 식각단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 세정단계는:상기 습식 세정 용액이 불산과 물을 1:10-100의 비율로 혼합된 혼합용액인 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전처리단계는:상기 제 1 산용액이 농도 40 내지 55%의 불산, 농도 65 내지 75%의 질산 및 농도 90 내지 99%의 초산이 18-54:1-3:10-30의 비율로 혼합된 혼합용액인 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전처리단계는:상기 세정된 실리콘 웨이퍼를 상기 제 1 산용액에 상온에서 20 내지 40초간 침지하는 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 전처리단계는:상기 제 1 산용액에서 불산의 비율이 질산의 비율보다 18배 이상 더 높은 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 전처리단계는:상기 홀이 실리콘 웨이퍼의 표면에 산화 반응에 필요한 활성화 에너지가낮은 영역인 결함을 중심으로 형성되는 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 전처리단계는:상기 홀이 질산으로 인해 형성된 실리콘 산화물을 불산이 식각하여 형성되는 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 전처리단계는:상기 홀이 깊고 좁은 구덩이 형태를 가지며, 중앙부 깊이가 0
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제 1 항에 있어서,상기 식각단계는:상기 제 2 산용액이 농도 40 내지 55%의 불산, 농도 65 내지 75%의 질산 및 탈 이온수가 1-3:6-18:7-21의 비율로 혼합된 혼합용액인 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 식각단계는:상기 세척된 실리콘 웨이퍼를 상기 제 2 산용액에 섭씨 5 내지 15도의 온도조건에서 1 내지 10분간 침지하는 실리콘 웨이퍼의 습식 이단계 표면조직화 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 고려대학교 산학협력단 에너지기술개발사업 Kerf-loss free 웨이퍼를 활용한 태양전지 및 모듈 제조기술 개발
2 산업통상자원부 고려대학교 산학협력단 에너지국제공동연구사업 고효율 태양전지 양산화를 위한 효율 24.5%급 전하선택형 실리콘 태양전지 및 모듈화 기술 개발