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제1 전극;상기 제1 전극과 이격되어 형성된 제2 전극; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 인접하여 형성되고, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 통해 인가되는 전압 및 외부 습도의 변화에 따라 전도성 필라멘트가 제어되어 고저항 상태 및 저저항 상태 중 어느 하나의 상태로 변화하는 절연층을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 절연층은상기 외부 습도가 기설정된 쓰기 습도 값 이상이 되면, 상기 절연층 상에서 증가하는 수소 이온의 전도도에 대응하여 증가된 수소 이온이 금속 이온의 산화/환원 전위를 낮추게 함으로써 상기 전도성 필라멘트가 형성됨에 따라 상기 저저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자
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제2항에 있어서,상기 절연층은상기 저저항 상태에서, 상기 외부 습도가 기설정된 소거 습도 값 내지 상기 쓰기 습도 값의 범위 내에서 어느 하나의 습도 값으로 변화 하더라도 상기 저저항 상태를 유지하는 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 절연층은상기 외부 습도가 상기 소거 습도 값 이하가 되면 상기 전도성 필라멘트가 소멸되어 상기 고저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 절연층은상기 제1 전극에 기설정된 쓰기 전압 레벨 이상의 양의 전압(positive voltage)이 인가되면, 상기 전도성 필라멘트가 형성되어 상기 저저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 절연층은상기 제1 전극에 기설정된 소거 전압 레벨 이하의 음의 전압(negative voltage)이 인가되면, 상기 전도성 필라멘트가 소멸되어 고저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 절연층의 상부에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 절연층의 하부에 형성되는 저항 변화 메모리 소자
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8
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 절연층의 상부 또는 하부에 형성되는 저항 변화 메모리 소자
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제1 전극;상기 제1 전극과 이격되어 형성된 제2 전극; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 인접하여 형성되고, 외부 습도의 변화에 따라 전도성 필라멘트가 제어되어 고저항 상태 및 저저항 상태 중 어느 하나의 상태로 변화하는 절연층을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
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10
제9항에 있어서,상기 절연층은상기 외부 습도가 기설정된 쓰기 습도 값 이상이 되면, 상기 절연층 상에서 증가하는 수소 이온의 전도도에 대응하여 증가된 수소 이온이 금속 이온의 산화/환원 전위를 낮추게 함으로써 상기 전도성 필라멘트가 형성됨에 따라 상기 저저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자
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11
제10항에 있어서,상기 절연층은상기 저저항 상태에서, 상기 외부 습도가 기설정된 소거 습도 값 내지 상기 쓰기 습도 값의 범위 내에서 어느 하나의 습도 값으로 변화 하더라도 상기 저저항 상태를 유지하는 저항 변화 메모리 소자
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제9항에 있어서,상기 절연층은상기 외부 습도가 상기 소거 습도 값 이하가 되면 상기 전도성 필라멘트가 소멸되어 상기 고저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자
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13
제9항에 있어서,상기 절연층은펩타이드 결합이 적어도 하나 이상 있는 티로신(tyrosine) 기반의 펩타이드 물질을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
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