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커패시터를 통해 시냅스로부터 입력되는 전류를 충전하여 포텐셜(potential)를 생성하고,상기 생성되는 포텐셜이 임계값을 초과하면, 상기 커패시터에 연결된 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자(FBFET)를 이용해서, 상기 생성되는 포텐셜에 상응하는 스파이크 전압을 생성하여 출력하며,상기 피드백 전계효과 전자소자에 연결되는 3개의 트랜지스터들을 이용해서 상기 생성된 스파이크 전압을 리셋하는뉴런회로
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제1항에 있어서,상기 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자는,드레인단이 상기 커패시터에 병렬 연결되고, 소스단이 상기 3개의 트랜지스터들에 연결되며, 게이트단이 제1 워드라인에 연결되는뉴런회로
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제2항에 있어서,상기 3개의 트랜지스터들 중에서
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제3항에 있어서,상기 스파이크 전압은,상기 제1 트랜지스터와 상기 피드백 전계효과 전자소자의 전압 분할(voltage division)에 의해서 결정되는 뉴런회로
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제3항에 있어서,상기 스파이크 전압은,상기 제1 워드라인의 전압에 변화에 따라 주기가 변화되는 뉴런회로
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제3항에 있어서,상기 스파이크 전압은,상기 입력 펄스의 시간 폭에 대한 변화에 따라 주파수가 변화되는 뉴런회로
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제1항에 있어서,상기 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자는,드레인 전압에 의해 채널 영역에서 생성되는 포지티브 피드백 루프 현상을 이용해서 상기 생성되는 포텐셜에 상응하는 스파이크 전압을 생성하는 뉴런회로
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제7항에 있어서,상기 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자는,채널 영역에 복수의 포텐셜 베리어(potential barriers)을 구비하고, 상기 복수의 포텐셜 베리어(potential barriers)를 이용해서 상기 드레인 전압이 인가되기 전에 전하 캐리어 주입을 차단하는뉴런회로
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제8항에 있어서,상기 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자는,상기 드레인 전압이 기설정된 기준전압으로 증가 할 때, 상기 드레인 전압을 통해 비게이트 채널 영역(non-gated channel region)의 밸런스 밴드(valence band)에서 상기 복수의 포텐셜 베리어의 높이가 낮아지도록 유도하며, 상기 복수의 포텐셜 베리어의 높이가 낮아지는 경우 게이트 채널 영역의 포텐셜 웰(potential well)에 홀을 주입하도록 동작하는뉴런회로
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제9항에 있어서,상기 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자는,상기 게이트 채널 영역의 포텐셜 웰에 홀을 주입하도록 동작하되, 상기 복수의 포텐셜 베리어의 높이가 낮아지는 경우 상기 드레인 영역의 정공이 진성 영역의 밸런스 밴드의 포텐셜 웰에 주입되도록 동작하는뉴런회로
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제10항에 있어서,상기 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자는,상기 포텐셜 베리어의 높이가 반복적으로 낮아짐에 따라, 포지티브 피드백 루프 현상을 발생하여 일정시간 동안에만 상기 포텐셜 베리어를 제거하도록 동작하는 뉴런회로
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제3항에 있어서,상기 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자는,상기 제2 트랜지스터의 게이트단에 발생하는 전압에 리셋 전류를 유도하여 상기 스파이크 전압을 감소시키고,상기 제3 트랜지스터에 방전 전류를 흐르게 하여 상기 생성된 스파이크 전압을 리셋하는 뉴런회로
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커패시터를 통해 시냅스로부터 입력되는 전류를 충전하여 포텐셜(potential)를 생성하고,상기 생성되는 포텐셜이 임계값을 초과하면, 상기 커패시터에 연결된 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자(FBFET)를 이용해서, 상기 생성되는 포텐셜에 상응하는 스파이크 전류를 생성하여 출력하며,상기 피드백 전계효과 전자소자에 연결되는 3개의 트랜지스터들을 이용해서 상기 생성된 스파이크 전류를 리셋하는뉴런회로
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제3항에 있어서,상기 제 1 트랜지스터를 저항으로 대체하여단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자(FBFET)인 제1 워드라인에 인가되는 전원 전압만을 이용하며, 상기 제 1 트랜지스터를 대체한 저항과 상기 피드백 전계효과 전자소자의 전압 분할(voltage division)에 의해서 스파이크 전압이 결정되는 뉴런회로
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