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게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 일면에 형성되는 금속 산화물층;상기 금속 산화물층 상에 형성되며, 서로 이격 배치되는 소스전극 및 드레인전극; 및상기 금속 산화물층, 소스전극 및 드레인전극 상에 형성되는 실리콘계 고분자층;을 포함하되,상기 실리콘계 고분자층의 고분자가 하기 화학식 1 및 화학식 2의 구조단위를 포함하고 작동온도가 1 내지 50 ℃ 범위인 알코올 가스 센서
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제 1항에 있어서,상기 금속 산화물층의 두께가 5 내지 20 nm 범위인 알코올 가스 센서
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제 1항에 있어서,상기 실리콘계 고분자층의 두께가 3 내지 60 nm 범위인 알코올 가스 센서
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제 1항에 있어서,상기 금속 산화물층의 금속 산화물은 티타늄(Ti), 아연(Zn), 인듐(In), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 몰리브데넘(Mo), 마그네슘(Mg), 주석(Sn), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y) 및 갈륨(Ga)에서 하나 이상 선택된 원소의 산화물이나 이들의 복합산화물인 알코올 가스 센서
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제1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 따른 알코올 가스 센서를 이용한 가스 검출 방법
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제 6항에 있어서,탄소수 1 내지 3의 저가 알코올 가스를 선택적으로 검출할 수 있는 가스 검출 방법
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a) 절연막 상에 금속 산화물층을 형성하는 단계;b) 상기 금속 산화물층 상에 서로 이격 배치되는 소스전극 및 드레인전극을 형성하고, 금속 산화물층이 위치하는 절연막의 대향면 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및c) 금속 산화물층 및 금속 산화물층 상에 형성된 소스전극 및 드레인전극 상에 하기 화학식 3 및 화학식 4의 구조단위의 고분자를 포함하는 실리콘계 고분자층을 형성하고, 후열처리하는 단계;를 포함하되 작동온도가 1 내지 50 ℃ 범위인 알코올 가스 센서의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 금속 산화물층의 금속 산화물은 티타늄(Ti), 아연(Zn), 인듐(In), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 몰리브데넘(Mo), 마그네슘(Mg), 주석(Sn), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y) 및 갈륨(Ga)에서 하나 이상 선택된 원소의 산화물이나 이들의 복합산화물인 알코올 가스 센서의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 c) 단계의 후열처리는 50 내지 120℃의 온도에서 10 내지 100분 동안 수행되는 알코올 가스 센서의 제조방법
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