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관통비아를 갖는 광전극 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2021001322
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서에 개시된 기술은 광전극에서 발생한 전하캐리어를 적은 저항손실로 상대전극으로 전달할 수 있는 전기적 연결 비아홀이 형성된 광전극을 제공한다. 본 명세서에 개시된 기술의 실시예에 따른 관통비아를 갖는 광전극은, 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 형성된 투명도전막; 상기 투명도전막 상에 형성된 광반응막; 상기 제 1 기판을 통과하는 관통홀 내에 설치된 관통비아; 및 상기 관통비아가 형성된 제 1 기판의 반대쪽 면에 형성된 도전막을 포함할 수 있다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2022(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/18(2013.01) Y02E 10/542(2013.01)
출원번호/일자 1020190103705 (2019.08.23)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0023473 (2021.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지혜 대전광역시 유성구
2 이호영 대전광역시 유성구
3 김정민 대전광역시 유성구
4 최준혁 대전광역시 서구
5 최대근 세종특별자치시
6 이응숙 대전광역시 유성구
7 정준호 대전광역시 서구
8 전소희 서울특별시 서초구
9 정주연 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0868618-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2019-0051093-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0735311-53
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-1417593-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1417594-63
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번호 청구항
1 1
제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 형성된 투명도전막; 상기 투명도전막 상에 형성된 광반응막; 상기 제 1 기판을 통과하는 복수의 관통홀 내에 설치된 관통비아; 및 상기 관통비아가 형성된 제 1 기판의 반대쪽 면에 형성된 도전막을 포함하는, 관통비아를 갖는 광전극
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 광전극은 애노드용인, 관통비아를 갖는 광전극
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 관통비아는 상기 관통홀을 완전히 채우는, 관통비아를 갖는 광전극
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 관통비아는 상기 관통홀을 일부만 채우는, 관통비아를 갖는 광전극
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 관통비아는 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속 또는 이들을 포함하는 합금으로 이루어지는, 관통비아를 갖는 광전극
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 관통홀의 직경은 5um 내지 250um인 것을 특징으로 하는 관통비아를 갖는 광전극
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 관통홀의 간격은 10um 내지 500um인 것을 특징으로 하는 관통비아를 갖는 광전극
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 관통비아를 갖는 광전극은 염료감응형 태양전지(DSSC)에 연결되도록 구성되는, 관통비아를 갖는 광전극
9 9
관통비아를 갖는 광전극 제조방법으로서, 제 1 기판에 관통홀을 제조하는 제 1 단계; 상기 관통홀이 형성된 제 1 기판에 투명도전막을 형성하는 제 2 단계; 상기 투명전도막이 형성된 제 1 기판에 광반응막을 형성하는 제 3 단계;상기 제 1 기판에 형성된 관통홀에 저저항 금속충진시켜 관통비아를 형성하는 제 4 단계; 및상기 관통비아가 형성된 제 1 기판의 반대쪽 면에 도전막을 형성하는 제 5 단계를 포함하는 관통비아를 갖는 광전극 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 도전막에 염료감응형 태양전지(DSSC)의 태양전지 전극을 연결하는 단계를 포함하는 관통비아를 갖는 광전극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국기계연구원 과기부-국가연구개발사업(Ⅳ) STH 10% 이상 태양광 수소생산 대면적 시스템화 핵심기술 개발 (1/1)
2 미래창조과학부 한국기계연구원 주요사업 나노기반 유해물질 검출진단 소자 플랫폼 기술 개발 (2/6)