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발광 다이오드 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021001330
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 발광 다이오드는 서로 마주보며 배치되는 제 1 반도체층과 제 2 반도체층, 상기 제 1 반도체층과 상기 제 2 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 그리고 상기 제 2 반도체층 위에 서로 이격되어 위치하는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극은 전반사 반사경(Omni-directional reflectors, ODR) 전극이다. 상기 발광 다이오드는 식각 공정 없이 항복현상을 이용하여 반도체층과 전극을 형성함으로써 공정을 단순화하고 공정 단가를 절감할 수 있고, 플립-칩 구현으로 발광 면적의 손실 없이 전극 배치를 최적화함으로 효율을 증가시키고, 광 손실을 최소화시킬 수 있으며, 균일한 전류 전달 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/62(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020190102910 (2019.08.22)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0023141 (2021.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성훈 전라북도 전주시 덕진구
2 오문식 전라북도 군
3 김현수 전라북도 전주시 완산구
4 최철종 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0862693-53
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0122676-69
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0593908-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1146080-28
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-1146081-74
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 마주보며 배치되는 제 1 반도체층과 제 2 반도체층,상기 제 1 반도체층과 상기 제 2 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 그리고상기 제 2 반도체층 위에 서로 이격되어 위치하는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하며,상기 제 2 반도체층은 제 2 형 반도체로 동작하는 제 2 형 반도체 영역, 및 제 1 형 반도체로 동작하는 제 1 형 반도체 영역을 포함하고,상기 제 1 전극은 상기 제 1 형 반도체 영역 위에 위치하고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 형 반도체 영역 위에 위치하며,상기 제 1 전극은 전반사 반사경(Omni-directional reflectors, ODR) 전극인 것인 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 반도체층의 상기 제 1 형 반도체 영역은 제 1 형 반도체로 동작하는 항복 전도 채널(breakdown conducting channel)을 포함하는 것인 발광 다이오드
3 3
제 2 항에 있어서,상기 항복 전도 채널은 상기 제 2 반도체층의 상기 제 1 형 반도체 영역에 항복 전압이 인가되어 브레이크다운(breakdown)되어 형성된 것인 발광 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전반사 반사경 전극은 상기 제 2 반도체층의 상기 제 1 형 반도체 영역 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하는 반사층을 포함하며,상기 절연층은 마이크로 채널(microchannel)을 포함하고,상기 반사층은 상기 마이크로 채널을 통하여 상기 절연층을 관통하여 상기 제 1 형 반도체 영역과 접하는 것인 발광 다이오드
5 5
제 1 반도체층, 활성층, 및 제 2 반도체층을 적층하는 단계,상기 제 2 반도체층 위의 일부 영역에 마이크로 채널을 포함하는 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 위에, 상기 마이크로 채널을 통하여 상기 절연층을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 접하도록, 반사층을 형성하여 제 1 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 제 1 전극을 통하여 상기 제 2 반도체층에 항복 전압을 인가하여 브레이크다운(breakdown)된 항복 전도 채널(breakdown conducting channel)을 형성하는 단계포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 부경대학교 에너지기술개발사업 조선해양플랜트해양환경 LED융합조명 핵심기술개발 전문인력양성