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반도체 나노와이어 전사방법

  • 기술번호 : KST2021001396
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 나노와이어 전사방법에 있어서, 기판 상에 반도체 나노와이어들을 형성하는 단계: 상기 반도체 나노와이어들 상부에 반도체 박막을 형성하되, 상기 반도체 박막에 불순물을 주입하여 상기 반도체 나노와이어들과 상기 기판 사이에 스트레스를 발생시키는 단계; 상기 반도체 박막을 포함하는 소자 구조물을 마련하는 단계; 및 상기 반도체 나노와이어들과 상기 기판 사이에 발생된 스트레스를 이용하여 상기 기판와 상기 반도체 나노와이어들을 기계적으로 분리하는 단계를 포함하는 반도체 나노와이어 전사방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) B82Y 40/00(2013.01)
출원번호/일자 1020190162965 (2019.12.09)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2184173-0000 (2020.11.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20201127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.09)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상완 광주광역시 북구
2 무하마드 알리 조하르 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교 산학협력단 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-1270957-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
 2020.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0537280-90
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0102370-35
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0518304-54
6 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-1042080-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-1091368-04
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1091369-49
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2020.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0718820-37
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.10.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-1121728-86
11 등록결정서
Decision to grant		 2020.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0766806-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 나노와이어 전사방법에 있어서,기판 상에 반도체 나노와이어들을 형성하는 단계:상기 기판 상에 형성된 반도체 나노와이어들을 측면성장시키는 단계;측면성장된 상기 반도체 나노와이어들 상부에 반도체 박막을 형성하여 반도체 나노와이어들이 상기 반도체 박막을 통해 연결되는 단계;상기 반도체 박막의 형성시 또는 형성 후에, 상기 반도체 박막에 불순물을 주입하여 상기 반도체 나노와이어들과 상기 기판 사이에 스트레스를 발생시키는 단계;상기 반도체 박막을 포함하는 소자 구조물을 형성하는 단계; 및상기 반도체 나노와이어들과 상기 기판 사이에 발생된 스트레스를 이용하여 상기 기판와 상기 반도체 나노와이어들을 기계적으로 분리하여 상기 소자구조물에 상기 반도체 나노와이어들이 전사되는 단계를 포함하되,상기 반도체 나노와이어들은 GaN 계열이며,상기 반도체 박막은 p형 GaN박막이며,상기 불순물은 Mg 인 반도체 나노와이어 전사방법
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제 1항에 있어서,상기 p형 GaN 박막의 캐리어 농도는 1*1017cm-3 내지 1*1020cm-3인 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어 전사방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 전남대학교 산학협력단 중점연구소지원사업(이공계분야) 광전자융합기술연구소