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저투과도 강화복합전해질막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2021001400
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이차전지용 강화복합전해질막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 수화안정성, 화학적 안정성 및 저투과도를 갖는 강화복합전해질막, 그 제조방법 및 상기 강화복합전해질막을 포함하는 이차전지에 관한 것이다.
Int. CL H01M 8/1048 (2016.01.01) H01M 8/1053 (2016.01.01) H01M 8/1058 (2016.01.01) H01M 8/1081 (2016.01.01) H01M 8/18 (2015.01.01) C08J 5/22 (2006.01.01) C08L 101/02 (2006.01.01) C08L 101/12 (2006.01.01) C08L 81/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200171744 (2020.12.09)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0140780 (2020.12.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 분할
원출원번호/일자 10-2018-0099507 (2018.08.24)
관련 출원번호 1020180099507
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정호영 광주광역시 광산구
2 임민화 광주광역시 광산구
3 박미정 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2020.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-1337737-41
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번호 청구항
1 1
다공성 고분자지지체; 상기 고분자지지체의 기공을 포함하여 상기 고분자지지체가 외부로 노출된 모든 표면에 형성된 도파민코팅층; 및 상기 도파민코팅층을 덮도록 형성되는 이온전달층;을 포함하는데,상기 다공성 고분자지지체는 폴리페닐렌설파이드(PPS) 또는 술폰화 폴리페닐렌설파이드(sPPS)로 이루어지고, 상기 이온전달층은 실리카계열고분자물질 및 이온전도성물질이 1:3 내지 3:1의 중량비로 포함되며, 상기 실리카계열고분자물질은 D-ASFP (Diol Alkoxysilane-functionalized Polymer), BD-ASFP(bisphenol dimethylbenzanthracene ASFP), BDP-ASFP (Polydimethylsiloxane ASFP) 중 어느 하나이고,상기 다공성 고분자지지체가 술폰화 폴리페닐렌설파이드(sPPS)인 경우, 다공성 막상의 폴리페닐렌설파이드(PPS)를 술폰화시켜 얻어진 것이며, 상기 이온전도성물질은 나피온, 3M아이오노머, 술폰화된 플루오르계 고분자, 벤즈이미다졸계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리아미드계 고분자, 폴리아릴렌아테르계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌술파이드계 고분자, 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리에테르-에테르케톤계 고분자, 폴리포스파젠계 고분자, 폴리스티렌계 고분자, 라디에이션-그라프트된 FEP-g-폴리스티렌(radiation-grafted FEP-g-polystyrene), 라디에이션-그라프트된 PVDF-g-폴리스티렌(radiation-grafted PVDF-g-polystyrene) 및 폴리페닐퀴녹살린계 고분자 중에서 선택되는 1종 이상의 수소 이온 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막
2 2
제 1 항에 있어서,투과도가 2
3 3
도파민용액을 준비하는 단계; 상기 도파민용액에 다공성 고분자지지체를 침지시켜 상기 다공성 고분자지지체가 외부로 노출된 모든 표면에 도파민코팅층이 형성된 전구체막을 제조하는 단계; 및 상기 전구체막의 표면에 이온전달층을 형성하는 단계;를 포함하는데, 상기 다공성 고분자지지체는 폴리페닐렌설파이드(PPS) 또는 술폰화 폴리페닐렌설파이드(sPPS)로 이루어지고, 상기 이온전달층을 형성하는 단계는 실리카계열고분자물질 및 이온전도성물질이 1:3 내지 3:1의 중량비로 포함된 이온전달층형성용 용액을 준비하는 단계; 상기 전구체막 표면에 상기 이온전달층형성용 용액을 코팅하는 단계; 및 상기 이온전달층을 건조하는 단계;를 포함하여 수행되며, 상기 실리카계열고분자물질은 D-ASFP (Diol Alkoxysilane-functionalized Polymer), BD-ASFP(bisphenol dimethylbenzanthracene ASFP), BDP-ASFP (Polydimethylsiloxane ASFP) 중 어느 하나이고,상기 다공성 고분자지지체가 술폰화 폴리페닐렌설파이드(sPPS)인 경우, 다공성 막상의 폴리페닐렌설파이드(PPS)를 술폰화시켜 얻어진 것이며, 상기 이온전도성물질은 나피온, 3M아이오노머, 술폰화된 플루오르계 고분자, 벤즈이미다졸계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리아미드계 고분자, 폴리아릴렌아테르계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌술파이드계 고분자, 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리에테르-에테르케톤계 고분자, 폴리포스파젠계 고분자, 폴리스티렌계 고분자, 라디에이션-그라프트된 FEP-g-폴리스티렌(radiation-grafted FEP-g-polystyrene), 라디에이션-그라프트된 PVDF-g-폴리스티렌(radiation-grafted PVDF-g-polystyrene) 및 폴리페닐퀴녹살린계 고분자 중에서 선택되는 1종 이상의 수소 이온 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 도파민용액을 준비하는 단계는 증류수에 도파민클로라이드를 넣고 교반하는 단계; 및 상기 교반된 용액에 Tris(hydroxymethyl)aminomethane을 넣은 후 교반하는 단계;를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막제조방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 전구체막을 제조하는 단계는 상기 도파민용액에 침지된 상기 다공성 고분자지지체를 세척하는 단계; 및 세척된 다공성 고분자지지체를 건조하는 단계;를 더 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 강화복합전해질막 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항의 강화복합전해질막 또는 제 3 항 내지 제 5 항의 제조방법으로 제조된 강화복합전해질막을 포함하는 연료전지
7 7
제 1 항 또는 제 2 항의 강화복합전해질막 또는 제 3 항 내지 제 5 항의 제조방법으로 제조된 강화복합전해질막을 포함하는 레독스흐름전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 에너지기술개발사업 ESS 및 EV용 100Wh/L 이상의 에너지밀도를 갖는 활물질 및 수용성 전해질계 플로우 전지 개발
2 산업통상자원부 코오롱중앙기술원 에너지기술개발사업 고내구성 이온 Blocking Type 대면적 FB(Flow Battery) 분리막 개발
3 미래창조과학부 전남대학교산학협력단 기본연구지원사 만능 이온전도성 고분자 분리막 제조 및 이를 도입한 1kw급 실증 시스템 플랫폼 구축