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후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법

기술번호 : KST2021001412
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 전면 전극에 의한 그림자 손실을 방지할 수 있는 후면 전극형 태양 전지에 적합한 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법이 개시한다. 본 발명의 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법은 제 1 도전형 실리콘층의 하면을 산화 처리하여 후면 산화층을 형성하는 후면 산화층 형성 단계와 상기 후면 산화층의 일부 영역에 제 1 전이 금속 산화물을 증착시켜 터널링을 통해 제 1 전하가 통과할 수 있는 제 1 전하 선택 박막을 형성하는 제 1 전하 선택 박막 형성 단계와 상기 후면 산화층에서 상기 제 1 전하 선택 박막이 형성되지 않은 영역에 제 2 전이 금속 산화물을 증착시켜 터널링을 통해 제 2 전하가 통과할 수 있는 제 2 전하 선택 박막을 형성하는 제 2 전하 선택 박막 형성 단계와 상기 제 1 및 제 2 전하 선택 박막의 하부에 제 1 및 제 2 후면 투명 전극을 각각 형성하는 단계 및 상기 제 1 및 제 2 후면 투명 전극의 하부에 제 1 및 제 2 후면 금속 전극을 각각 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL	H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/068 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01)
CPC	H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자	1020190087104 (2019.07.18)
출원인	충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2021-0010728 (2021.01.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2019.07.18)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	장효식		대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김호종	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 -, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2019.07.18	수리 (Accepted)	1-1-2019-0738642-15
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2019.10.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2020.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0158255-38
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2020.10.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0728826-90
5	[지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서	2020.12.22	수리 (Accepted)	1-1-2020-1399875-75
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2021.01.22	수리 (Accepted)	1-1-2021-0090877-64
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2021.01.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2021-0090883-38
8	보정요구서 Request for Amendment	2021.02.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2021-0018653-60
9	[출원서 등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)	2021.02.02	수리 (Accepted)	1-1-2021-0125061-35

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 도전형 불순물을 포함하는 제 1 도전형 실리콘 기판을 제공하는 제 1 도전형 실리콘 기판 제공 단계;상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 제 2 도전형 불순물을 포함하는 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계;상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면을 산화 처리하여 전면 산화층을 형성하는 전면(前面) 산화층 형성 단계;상기 전면 산화층의 상부에 전면(前面) 반사방지막을 형성하는 단계와 상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면을 산화 처리하여 후면 산화층을 형성하는 후면(後面) 산화층 형성 단계;상기 후면 산화층의 하부 일부 영역에 제 1 전이 금속 산화물을 증착시켜 터널링을 통해 제 1 전하가 통과할 수 있는 제 1 전하 선택 박막을 형성하는 제 1 전하 선택 박막 형성 단계;상기 후면 산화층의 하부에서 상기 제 1 전하 선택 박막이 형성되지 않은 영역에 제 2 전이 금속 산화물을 증착시켜 터널링을 통해 제 2 전하가 통과할 수 있는 제 2 전하 선택 박막을 형성하는 제 2 전하 선택 박막 형성 단계;상기 제 1 및 제 2 전하 선택 박막의 하부에 제 1 및 제 2 후면 투명 전극을 각각 형성하는 단계; 및 상기 제 1 및 제 2 후면 투명 전극의 하부에 제 1 및 제 2 후면 금속 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형 실리콘 기판은 n형 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 전면 산화층 형성 단계는 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면을 SC-1 솔루션, SC-2 솔루션, 질산, 염산, 황산, 인산 또는 불산으로 습식 산화 처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 전면 산화층은 0
5	5 제 1 항에 있어서,상기 후면 산화층 형성 단계는 상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면을 SC-1 솔루션, SC-2 솔루션, 질산, 염산, 황산, 인산 또는 불산으로 습식 산화 처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 후면 산화층은 0
7	7 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전하 선택 박막 형성 단계는 MoOx의 원소를 포함하는 프리커서로부터 생성되는 Mo(CO)6 소스 가스와 수증기(H2O) 또는 오존(O3)을 포함하는 산화제를 교대로 공급하는 원자층 증착 공정으로 진행되고,상기 원자층 증착 공정은 상기 오존과 상기 수증기의 공급 횟수를 조절하여 상기 MoOx 중 x값을 조절하는 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 제 1 전하 선택 박막은 2 ∼ 15nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법
9	9 제 8 항에 있어서,상기 제 1 전이 금속 산화물은 MoOx, NiOx, VOx 및 WOx 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법
10	10 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전하 선택 박막 형성 단계는 TiO2의 원소를 포함하는 프리커서로부터 생성되는 Titanium isopropoxide (TTIP), tetrakis-dimethyl-amidotitanium (TDMAT), TiCl4 소스 가스와 수증기(H2O) 또는 오존(O3)을 포함하는 산화제를 교대로 공급하는 원자층 증착 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법
11	11 제 10 항에 있어서,상기 제 2 전하 선택 박막은 2 ∼ 15nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법
12	12 제 11 항에 있어서,상기 제 2 전이 금속 산화물은 Ta2O5, TiO2 및 SrTiO3 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	성균관대학교 산학협력단	에너지기술개발사업	고효율 결정질실리콘 태양전지용 전하선택접촉기술개발

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2019.07.18	수리 (Accepted)	1-1-2019-0738642-15
2	선행기술조사의뢰서	2019.10.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2020.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0158255-38
4	의견제출통지서	2020.10.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0728826-90
5	[지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서	2020.12.22	수리 (Accepted)	1-1-2020-1399875-75
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2021.01.22	수리 (Accepted)	1-1-2021-0090877-64
7	[명세서등 보정]보정서	2021.01.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2021-0090883-38
8	보정요구서	2021.02.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2021-0018653-60
9	[출원서 등 보정]보정서(납부자번호)	2021.02.02	수리 (Accepted)	1-1-2021-0125061-35

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