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유무기 광촉매 복합체 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021001422
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체성 고분자가 이산화티타늄에 공유결합으로 도입되어 가시광에 의해 활성을 갖는 광촉매 복합체 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 촉매 반응 도중 반도체성 고분자가 이산화티타늄으로부터 쉽게 탈리되지 않아 안정적으로 사용이 가능하며, 또한 광촉매 복합체의 친수성 또는 소수성 표면개질을 통해 극성 용매 또는 비극성 용매에서 촉매 활성을 증진시킬 수 있는 광촉매 복합체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B01J 35/00 (2006.01.01) B01J 21/06 (2006.01.01) B01J 31/06 (2006.01.01)
CPC B01J 35/004(2013.01) B01J 21/063(2013.01) B01J 31/06(2013.01)
출원번호/일자 1020190100548 (2019.08.16)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0020691 (2021.02.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이택승 대전광역시 유성구
2 김현철 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이근완 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***(둔산동) 청사오피스텔 ****호(장백국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0842403-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0167189-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0782297-92
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.01.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0002345-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체성 고분자가 이산화티타늄 나노입자의 표면에 공유결합에 의해 도입된 유무기 광촉매 복합체
2 2
청구항 1에 있어서,상기 반도체성 고분자는, 아래의 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 유무기 광촉매 복합체
3 3
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 광촉매 복합체는 가시광영역대에서 촉매 활성을 나타내는 것을 특징으로 하는 유무기 광촉매 복합체
4 4
반도체성 고분자를 제조하는 제 1 단계(S100);이산화티타늄 나노입자의 표면에 아민기를 도입하는 제 2 단계(S200);이산화티타늄 나노입자의 표면에 도입된 아민기와 상기 반도체성 고분자를 공유결합하는 제 3 단계(S300); 및이산화티타늄 나노입자의 표면에 도입된 반도체성 고분자를 양이온화하는 제 4 단계(S400);을 포함하는 유무기 광촉매 복합체의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 제 4 단계(S400)에서 양이온화는 3차아민처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 유무기 광촉매 복합체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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