| 1 |
1
챔버 내에 생성 또는 유입되는 플라즈마를 진단하는 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법에 있어서,정전척(ESC, Electrostatic Chuck)의 일측에 적어도 하나의 프로브를 설치하는 단계(S10);상기 프로브를 이용하여 플라즈마 또는 쉬스에 고주파를 투사하는 단계(S20);상기 프로브가 플라즈마 또는 쉬스로부터 반사되는 주파수를 검출하는 단계(S30);상기 프로브에서 검출된 주파수를 이용하여 주파수에 따른 반사 스펙트럼을 추출하는 단계(S40);상기 프로브에서 추출된 주파수 또는 상기 반사 스펙트럼을 이용하여 플라즈마-쉬스의 표면파 공진 주파수를 추출하는 단계(S50); 및상기 표면파 공진 주파수를 토대로 플라즈마의 전자밀도 또는 균일도(uniformity)를 추출하는 단계(S60)를 포함하며,상기 프로브는 동축 케이블(Coaxial cable) 형상의 송수신 안테나로 구성되고, 상기 송수신 안테나의 크기는 동축 코어(Coaxial core)의 지름과 동축 페리페럴의 유전체 두께에 따라 결정되며, 상기 송수신 안테나의 크기가 작을수록 이상적인 표면파 공진 주파수와 측정되는 표면파 공진 주파수 간의 측정 오차(discrepancy)가 감소하는 것을 특징으로 하는 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 주파수에 따른 반사 스펙트럼을 추출하는 단계(S40)는 초고주파 방사/계측 시스템 또는 펄스파-오실로스코프 계측 시스템을 이용하여 상기 반사 스펙트럼을 추출하는 것을 특징으로 하는 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 표면파 공진 주파수를 추출하는 단계(S50)는 상기 반사 스펙트럼에서 최소값을 갖는 주파수를 추출하여 표면파 공진 주파수로 설정하는 것을 특징으로 하는 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 플라즈마의 전자밀도는 아래의 [수학식 1]을 이용하여 산출되는 것을 특징으로 하는 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법
|
| 5 |
5
챔버 내에 생성 또는 유입되는 플라즈마를 진단하는 비침습형 플라즈마 공정 진단 장치에 있어서,제어부의 제어에 따라 고주파를 생성하여 프로브에 전송하는 고주파 발생부;정전척(ESC, Electrostatic Chuck)의 일측에 설치되며, 내측 동축 코어(Coaxial core)는 금속 재질로 이루어지고, 외측의 동축 페리페럴(Coaxial peripheral)은 유전체로 이루어지는 동축 케이블(Coaxial cable) 형상의 송수신 안테나로 구성되며, 플라즈마(Plasma) 또는 쉬스(sheath)에 고주파를 투사하고, 상기 플라즈마(Plasma) 또는 쉬스(sheath)로부터 반사되는 주파수를 검출하는 적어도 하나의 프로브;상기 적어도 하나의 프로브에서 검출된 주파수를 측정하는 측정부; 및상기 적어도 하나의 프로브에서 검출된 주파수 또는 측정부에서 측정된 데이터를 이용하여 상기 플라즈마 또는 쉬스의 표면파 공진 주파수를 산출하고, 산출된 표면파 공진 주파수를 이용하여 플라즈마의 전자밀도 또는 균일도를 추출하는 연산부를 포함하고,상기 송수신 안테나의 크기는 동축 코어(Coaxial core)의 지름과 동축 페리페럴의 유전체 두께에 따라 결정되며, 상기 송수신 안테나의 크기가 작을수록 이상적인 표면파 공진 주파수와 측정되는 표면파 공진 주파수 간의 측정 오차(discrepancy)가 감소하는 것을 특징으로 하는 비침습형 플라즈마 공정 진단 장치
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
