| 1 |
1
GaAs 기판 상에 GaAs 에피층을 형성하는 단계;상기 GaAs 에피층 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 투명 접착층을 형성하는 단계; 상기 투명 접착층 상에 투명 기판을 본딩하는 단계;상기 투명 기판의 본딩 후에, 상기 GaAs 기판을 제거하는 단계; 및상기 GaAs 에피층의, 상기 GaAs 기판이 제거된 면 상에, 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는,상기 GaAs 에피층 상에 제1 금속나노와이어층을 형성하는 단계; 및상기 제1 금속나노와이어층 상에 제1 금속 버스 바(bus bar)를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 제1 금속나노와이어층은 상기 제1 금속 버스 바와 p-타입 저항 접촉을 형성하는 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 제1 금속나노와이어층은 은 나노와이어를 포함하고, 상기 제1 금속 버스 바는 AuBe/Pt/Au로 형성된 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 GaAs 에피층은, 제1 버퍼층, 상기 제1 버퍼층 상에 형성된 희생층, 상기 희생층 상에 형성된 제2 버퍼층 및, 상기 제2 버퍼층 상에 형성된 GaAs 태양전지층을 포함하고,상기 GaAs 기판은 ELO(Epitaxial Lift-Off)에 의해 제거되고,상기 희생층은 인을 포함하는 물질로 형성되고,상기 ELO의 식각액으로서 HCl이 이용되는 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 GaAs 에피층은, 제1 버퍼층, 상기 제1 버퍼층 상에 형성된 희생층, 상기 희생층 상에 형성된 제2 버퍼층 및, 상기 제2 버퍼층 상에 형성된 GaAs 태양전지층을 포함하고,상기 GaAs 기판은 ELO(Epitaxial Lift-Off)에 의해 제거되고,상기 희생층은 AlxGa1-xAs (x는 0
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제2 전극을 형성하는 단계는,상기 GaAs 에피층의, 상기 투명 기판이 제거된 면 상에, 제2 금속나노와이어층을 형성하는 단계; 및상기 제2 금속나노와이어층 상에 제2 금속 버스 바를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제2 금속나노와이어층은 상기 제2 금속 버스 바와 n-타입 저항 접촉을 형성하는 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 제2 금속나노와이어층은 금, Pt 및 Pd 중 적어도 하나로 이루어진 나노와이어를 포함하고, 상기 제2 금속 버스 바는 AuGe/Ni/Au로 형성된 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 제2 전극의 형성 후에, 메사 에칭에 의해 태양전지 셀의 전극을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 투명접착층은, CYTOP, 에폭시 및 PMMA 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 투명기판은, 글래스, 사파이어, 폴리이미드, 컬러리스 폴리이미드, PET 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 양면 태양전지 제조 방법
|
