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알루미늄(Al) 타겟 및 스트론튬 티타네이트(SrTiO3) 타겟을 이용한 RF 마그네트론 코스퍼터링(magnetron co-sputtering)의 방법으로 기판 상에 알루미늄(Al) 도핑 스트론튬 티타네이트(SrTiO3, STO) 박막을 형성하는 제1 단계; 및 상기 알루미늄이 도핑된 스트론튬 티타네이트 박막을 열처리하는 제2 단계를 포함하는, 스트론튬 티타네이트 기반 유전막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 단계에서 상기 스트론튬 티타네이트 타겟 및 상기 알루미늄 타겟에 서로 다른 제1 및 제2 전력이 각각 인가되고, 상기 제1 전력과 상기 제2 전력의 비율는 100:40 내지 100:45인 것을 특징으로 하는, 스트론튬 티타네이트 기반 유전막의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전력은 100kHz 내지 1MHz의 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는, 스트론튬 티타네이트 기반 유전막의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 전력은 50 내지 150W인 것을 특징으로 하는, 스트론튬 티타네이트 기반 유전막의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 알루미늄 도핑 스트론튬 티타네이트 박막에서 상기 알루미늄의 도핑 농도는 4
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 600 내지 800℃의 온도에서 20 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 스트론튬 티타네이트 기반 유전막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 열처리는 100 내지 150 torr의 산소 분압을 갖는 산소 분위기의 챔버 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 스트론튬 티타네이트 기반 유전막의 제조방법
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알루미늄(Al) 타겟 및 스트론튬 티타네이트(SrTiO3) 타겟을 이용한 RF 마그네트론 코스퍼터링(magnetron co-sputtering)의 방법으로 반도체 기판 상에 알루미늄(Al) 도핑 스트론튬 티타네이트(SrTiO3, STO) 박막을 형성하는 제1 단계;상기 알루미늄이 도핑된 스트론튬 티타네이트 박막을 열처리하는 제2 단계; 및상기 열처리된 알루미늄이 도핑된 스트론튬 티타네이트 박막 상에 금속 전극을 형성하는 제3 단계를 포함하는, 커패시터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 단계에서 상기 스트론튬 티타네이트 타겟 및 상기 알루미늄 타겟에 서로 다른 제1 및 제2 전력이 각각 인가되고, 상기 제1 전력과 상기 제2 전력의 비율는 100:40 내지 100:45이며,상기 제1 전력은 50 내지 150W인 것을 특징으로 하는, 커패시터의 제조방법
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