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식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 하기 화학식 1의 분자 구조를 갖는 헵타플루오로이소프로필 메틸에테르(Heptafluoroisopropyl methyl ether) 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및상기 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함하는,플라즈마 식각 방법:003c#화학식 1003e#
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제1항에 있어서,상기 헵타플루오로이소프로필 메틸에테르 가스 및 상기 아르곤 가스는 3:2 내지 1:4의 유량비로 제공하는 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 헵타플루오로이소프로필 메틸에테르 가스 및 상기 아르곤 가스는 10
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제1항에 있어서,상기 혼합가스는 산소 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 식각 방법
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제4항에 있어서,상기 헵타플루오로이소프로필 메틸에테르 및 상기 산소 가스는 9:1 내지 7:3의 유량비로 제공되는 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 증기화된 하기 화학식 2의 분자 구조를 갖는 헵타플루오로프로필 메틸에테르(Heptafluoropropyl methyl ether) 및 아르곤 가스를 포함하는 혼합가스를 제공하는 제1 단계; 및상기 혼합가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 식각 대상을 식각하는 제2 단계를 포함하는,플라즈마 식각 방법:003c#화학식 2003e#
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제6항에 있어서,상기 헵타플루오로프로필 메틸에테르 가스 및 상기 아르곤 가스는 2:3 내지 1:9의 유량비로 제공하는 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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제6항에 있어서,상기 헵타플루오로프로필 메틸에테르 가스 및 상기 아르곤 가스는 3:7 내지 1:9의 유량비로 제공하는 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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제6항에 있어서,상기 혼합가스는 산소 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 식각 방법
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제9항에 있어서,상기 헵타플루오로프로필 메틸 에테르 가스 및 상기 산소 가스는 9:1 내지 7:3의 유량비로 제공하는 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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11
제1항 또는 제6항에 있어서,상기 식각 대상은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물인 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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제1항 또는 제6항에 있어서,상기 식각 대상의 표면에는 홀 패턴 마스크가 형성되고,상기 제2 단계에서 상기 홀 패턴 마스크에 의해 노출된 상기 식각 대상 영역이 식각되어 상기 식각 대상에는 직경과 깊이의 비율이 1:10 이상인 고종횡비 홀이 형성되는 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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