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에피택시 성장층을 포함하는 광전 디바이스 및 이의 제조방법

기술번호 : KST2021001505
담당센터 : 인천기술혁신센터
전화번호 : 032-420-3580

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본원은, 에피택시 성장층을 포함하는 광전 디바이스, 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 51/44 (2006.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 31/0256 (2006.01.01)
CPC	H01L 51/441(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 2031/0344(2013.01) Y02E 10/549(2013.01)
출원번호/일자	1020190177942 (2019.12.30)
출원인	이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-2212912-0000 (2021.02.01)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20210205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2019.12.30)
심사청구항수	17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	이화여자대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	조윌렴		서울특별시 강남구
2	김연수		서울특별시 강남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	이화여자대학교 산학협력단		서울특별시 서대문구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2019.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2019-1355109-97
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2020.05.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2020.07.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0145111-79
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2020.11.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0770305-44
5	[출원서 등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2020.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2020-1440005-33
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.12.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-1439954-12
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2020-1439953-66
8	등록결정서 Decision to grant	2021.01.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0062960-02

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 단결정 기판;상기 단결정 기판 상에 에피택시 성장된 음극층; 및상기 음극층 상에 에피택시 성장된 전자 수송층을 포함하고, 상기 음극층은 상기 전자 수송층에 비해 전도도가 큰 것인,광전 디바이스
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 단결정 기판은 LaAlO3 또는 사파이어를 포함하는 것인, 광전 디바이스
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 음극층 및 상기 전자 수송층 각각은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3, RuO2, LaxSr1-xCoO3, LaxSr1-xMnO3, BaSnO3 및 LaNiO3 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고, 0 003c# x ≤ 0
4	4 제 1 항에 있어서,상기 음극층 및 상기 전자 수송층 각각은 독립적으로 불순물인 Nb, Li, Y 및 Mg 중에서 선택되는 하나 이상을 추가 포함하는 것인, 광전 디바이스
5	5 제 4 항에 있어서,상기 음극층은 상기 전자 수송층에 비해 많은 불순물을 함유하는 것인, 광전 디바이스
6	6 제 4 항에 있어서,상기 불순물은, 상기 음극층에서 상기 음극층 100 중량부에 대해 0
7	7 제 1 항에 있어서,상기 단결정 기판과 상기 음극층의 격자 상수 차이는 0
8	8 삭제
9	9 단결정 기판 상에 음극층 물질을 에피택시 성장시켜 음극층을 형성하고,상기 음극층 상에 전자 수송층 물질을 에피택시 성장시켜 전자 수송층을 형성하는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 광전 디바이스의 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 에피택시 성장은, 펄스 레이저 증착법, 액상 에피택시 성장법, 분자선 에피택시 성장법 또는 기상 에피택시 성장법에 의해 수행되는 것인, 광전 디바이스의 제조 방법
11	11 제 9 항에 있어서,상기 음극층 및 상기 전자 수송층 각각은 TiO2 ,SnO2, ZnO, WO3, RuO2, LaxSr1-xCoO3, LaxSr1-xMnO3, BaSnO3 및 LaNiO3 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고, 0 003c# x ≤ 0
12	12 제 9 항에 있어서,상기 음극층 및 상기 전자 수송층 각각은 독립적으로 불순물인 Nb, Li, Y 및 Mg 중에서 선택되는 하나 이상을 추가 포함하는 것인, 광전 디바이스의 제조 방법
13	13 제 12 항에 있어서,상기 음극층은 상기 전자 수송층에 비해 많은 불순물을 함유하는 것인, 광전 디바이스의 제조 방법
14	14 제 12 항에 있어서,상기 불순물은, 상기 음극층에서 상기 음극층 100 중량부에 대해 0
15	15 제 12 항에 있어서,상기 에피택시 성장은 펄스 레이저 증착법에 의해 수행되고,상기 불순물은 레이저 파워가 클수록 적게 증착되고, 레이저 파워가 작을수록 많이 증착되는 것인, 광전 디바이스의 제조 방법
16	16 제 12 항에 있어서,상기 에피택시 성장은 펄스 레이저 증착법에 의해 수행되고,상기 음극층 및 상기 전자 수송층의 형성에 사용되는 타겟은 상기 불순물을 포함하는 TiO2 혼합물로서, 상기 불순물의 함량은 상기 불순물을 포함하는 TiO2 혼합물 100 중량부에 대해 0
17	17 제 12 항에 있어서,상기 음극층 및 전자 수송층에 함유된 상기 불순물의 함량 조절을 통해 상기 음극층 및 전자 수송층의 전도도가 조절되는 것인, 광전 디바이스의 제조 방법
18	18 제 1 항에 따른 광전 디바이스; 및상기 전자 수송층 상에 형성된 페로브스카이트 층을 포함하는,태양전지

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	과학기술정보통신부	이화여자대학교 산학협력단	개인기초연구(과기정통부)(R＆D)	페로브스카이트/전이금속 2차원 복합구조에서 밴드접합 제어를 이용한 광전특성 및 소자연구
2	교육부	이화여자대학교 산학협력단	이공학학술연구기반구축(R＆D)	신재생에너지연구센터

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-2212912-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20191230 출원 번호 : 1020190177942 공고 연월일 : 20210205 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20210122 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 51/44 발명의 명칭 : 에피택시 성장층을 포함하는 광전 디바이스 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 이화여자대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	354,000 원	2021년 02월 02일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2019.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2019-1355109-97
2	선행기술조사의뢰서	2020.05.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2020.07.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0145111-79
4	의견제출통지서	2020.11.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0770305-44
5	[출원서 등 보정]보정서	2020.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2020-1440005-33
6	[명세서등 보정]보정서	2020.12.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-1439954-12
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2020-1439953-66
8	등록결정서	2021.01.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0062960-02

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