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제 1 전극, 제 2 전극, 게이트 전극, 및 서로 이격되어 위치하는 제 1 전극 및 제 2 전극의 하부에 채널층을 포함하는 가스 센서를 이용하여 피넨 가스를 센싱하는 방법으로서,상기 채널층은 전이금속 칼코겐화합물을 포함하고,채널층이 피넨 가스를 흡착하여 전자가 피넨 분자에서 전이금속 칼코겐화합물 표면으로 이동하여 발생하는 센서의 전류 변화를 측정하는 피넨 가스의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서,상기 가스센서는,게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 채널층; 및상기 채널층 상에 형성되고, 서로 이격되어 위치하는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하며,상기 채널층은 일부가 외부로 노출된 센싱 표면을 가지고, 상기 센싱 표면은 피넨(pinene) 가스를 감지하는 것인 피넨 가스의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물은 Mo, W, Sn, Cu, Ni, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 피넨 가스의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, SnS2, SnSe2, SnTe2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 피넨 가스의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 반도체 물질, 금속, 전도성 고분자, 탄소물질 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 피넨 가스의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서,상기 피넨은 α-피넨 또는 β-피넨을 포함하는 피넨 가스의 센싱 방법
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제 1 항에 있어서,피넨 가스의 센싱 후 피넨 가스량을 측정하는 것을 특징으로 하는 피넨 가스의 센싱 방법
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