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제1 전극;제1 전극 상에 위치하고, 무결정형 아연주석 산화물을 포함하는 전자 선택층;전자 선택층 상에 위치하는 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층; 및광활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 전자 선택층은 표면 거칠기 (RQ)가 20 nm 내지 60 nm이며, 평균 두께는 20nm 내지 80nm이고,전자 선택층의 XPS 분석 시 O 1s 스펙트럼에서 532±0
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제1항에 있어서,전자 선택층은 400 nm 내지 800 nm 파장범위에서 3
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제1항에 있어서,전자 선택층은 X선 회절 (XRD) 측정 시 2θ로 나타내는 34
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제1항에 있어서,페로브스카이트 화합물은 CH3NH3PbI3, CH3NH3PbBr3, NH2CHNH2PbI3, NH2CHNH2PbBr3, (NH2CHNH2PbI3)x(CH3NH3PdBr3)1-x (단, 0
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제1항에 있어서,광활성층과 제2 전극 사이에 정공 수송층을 더 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서,태양전지의 전력 변환 효율 (PCE)은 18% 이상인 태양전지
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아연주석 산화물 제조용 조성물을 이용하여 제1 전극 상에 무결정형 아연주석 산화물을 포함하는 전자 선택층을 형성하는 단계;전자 선택층 상에 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층을 형성하는 단계; 및광활성층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 아연주석 산화물 제조용 조성물은,아연 아세테이트, 주석 아세테이트, 및 탄소수 1 내지 4의 알카놀 아민 화합물을 포함하고, 상기 알카놀 아민 화합물의 농도는 0
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제7항에 있어서,전자 선택층을 형성하는 단계는,제1 전극 상에 아연주석 산화물 제조용 조성물을 코팅하는 단계; 및코팅된 조성물을 열처리하여 무결정형 아연주석 산화물을 포함하는 전자 선택층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,열처리 온도는 400℃ 내지 600℃인 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,제2 전극을 형성하는 단계 이전에,광활성층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,알카놀 아민 화합물은 메탄올 아민, 에탄올 아민 및 프로판올 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,아연 아세테이트 및 주석 아세테이트의 총 농도는 0
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제7항에 있어서,아연 아세테이트의 함량은 주석 아세테이트 1 몰부를 기준으로 1
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