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캐리어 플레이트를 제공하는 단계;상기 캐리어 플레이트 상면에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;상기 플렉서블 기판 상에 전자소자층을 형성하는 단계; 및상기 캐리어 플레이트의 하면에 IPL(Intense pulsed light)을 조사하여 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 캐리어 플레이트는,지지기판;상기 지지기판 상에 위치하는 광열변환층(light to heat conversion; LTHC); 및상기 광열변환층 상에 위치하는 보호층;을 포함하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 2 항에 있어서,상기 지지기판은 광 투과성을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 2 항에 있어서, 상기 지지기판은 유리기판 또는 석영기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 2 항에 있어서,상기 광열변환층은, 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 5 항에 있어서,상기 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 2 항에 있어서,상기 광열변환층은,상기 지지기판 상에 위치하는 제 1 금속층;상기 제 1 금속층 상에 위치하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하는 제 2 금속층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 7 항에 있어서,상기 광열변환층의 제 1 금속층의 두께는 제 2 금속층의 두께보다 얇고, 상기 제1 금속층과 제2 금속층은 복소수 굴절율에서 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)의 곱(n x k)이 550nm 에서 2 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 금속층 또는 제 2 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 7 항에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al2O3), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 2 항에 있어서,상기 보호층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al2O3), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycylicolefin), 폴리노보넨(polyorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polyer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 전자소자는 유기발광다이오드(OLED)인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 전자소자층을 형성하는 단계는,상기 플렉서블 기판 상에 배리어(barrier)층을 형성하는 단계;상기 배리어층 상에 TFT(Thin Film Transistor)층을 형성하는 단계;상기 TFT층 상에 OLED층을 형성하는 단계;상기 OLED층 상에 TFE(Thin Film Encapsulation)층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계는 상기 IPL광원의 열에너지로 인하여 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판이 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL의 조사는, 제논(xenon) 플래시 램프를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL조사의 펄스 폭(pulse width)은 0
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제 1 항에 있어서,상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL조사의 펄스당 에너지는 1 J/cm2 내지 15 J/ cm2인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL조사의 주파수는 1 Hz 내지 10 Hz인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 플레이트와 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계에서, 상기 IPL조사의 펄스 수(pulse number)는 1 개 내지 50 개인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자 제작방법
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지지기판;상기 지지기판 상에 위치하는 광열변환층(light to heat conversion; LTHC); 및상기 광열변환층 상에 위치하는 보호층을 포함하고,상기 보호층 상에 플렉서블 기판을 형성한 후, IPL을 조사하여 상기 플렉서블 기판을 분리할 수 있는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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제 21 항에 있어서,상기 지지기판은 광 투과성을 갖는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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제 21 항에 있어서, 상기 지지기판은 유리기판 또는 석영기판인 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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제 21 항에 있어서,상기 광열변환층은, 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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제 24 항에 있어서,상기 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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제 21 항에 있어서,상기 광열변환층은,상기 지지기판 상에 위치하는 제 1 금속층;상기 제 1 금속층 상에 위치하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하는 제 2 금속층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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제 26 항에 있어서,상기 광열변환층의 제 1 금속층의 두께는 제 2 금속층의 두께보다 얇고, 상기 제1 금속층과, 제2 금속층은 복소수 굴절율에서 굴절률(n, refractive index)과 소멸계수(k, extinction coefficient)의 곱(n x k)이 550nm 에서 2 이상인 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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제 26 항에 있어서,상기 제 1 금속층 또는 제 2 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나의 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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제 26 항에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al2O3), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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제 21 항에 있어서,상기 보호층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막, 산화알루미늄(Al2O3), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐리어 플레이트
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