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기판에 형성한 인듐 주석 산화물 투명전극;상기 투명전극의 상부에 형성되며 합성한 산화아연 나노입자로 이루어진 전자이동층;상기 전자이동층의 상부에 형성되며 액상 리간드 치환 기법으로 합성한 아이오드화 납을 리간드로 갖고 있는 황화 납으로 이루어진 광 흡수층;상기 광 흡수층의 상부에 형성되며 EDT 리간드 황화납 양자점으로 이루어진 정공흡수층; 및 상기 정공흡수층의 상부에 형성된 양극;을 포함하는 양자점 태양전지
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청구항 1에 있어서, 상기 전자이동층은 열처리한 산화아연 나노입자를 사용하는 양자점 태양전지
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청구항 1에 있어서, 상기 합성한 산화아연 나노입자는 박막 열처리 또는 액상 열처리 공정을 통해 산화아연 나노입자 내에 존재하는 산소 공공(oxygen vacancy)을 줄여준 것인 양자점 태양전지
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청구항 1에 있어서, 상기 양극은 금(Au) 전극인 양자점 태양전지
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기판 상에 인듐 주석 산화물 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극의 상부에 합성된 산화아연 나노입자로 이루어진 전자이동층을 형성하는 단계; 상기 전자이동층의 상부에 액상 리간드 치환 기법으로 합성한 아이오드화 납을 리간드로 갖고 있는 황화 납으로 이루어진 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층의 상부에 EDT 리간드 황화납 양자점으로 이루어진 정공흡수층을 형성하는 단계; 및상기 정공흡수층의 상부에 양극을 형성하는 단계;를 포함하는 양자점 태양전지의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 전자이동층을 형성하는 단계는, 화학 습식 방법을 통해 산화아연 나노입자를 합성하는 단계;상기 합성된 산화아연 나노입자를 액상으로 열처리하여 전기적 특성을 향상시키는 단계; 및상기 열처리된 산화아연 나노입자를 상기 인듐 주석 산화물 투명전극의 상부에 스핀코팅기법으로 코팅하는 단계;를 포함하는 양자점 태양전지의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 전자이동층을 형성하는 단계는, 화학 습식 방법을 통해 산화아연 나노입자를 합성하는 단계;상기 합성된 산화아연 나노입자를 상기 인듐 주석 산화물 투명전극의 상부에 스핀코팅기법으로 코팅하여 산화아연 나노입자 박막을 형성하는 단계; 및 상기 산화아연 나노입자 박막을 열처리하여 단계; 를 포함하는 양자점 태양전지의 제조방법
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청구항 6 또는 7에 있어서,상기 산화아연 나노입자는 아세트산 아연과 수산화 칼륨을 포함하는 반응 혼합물로부터 합성하고, 상기 합성된 산화아연 나노입자를 클로로포름에 분산시켜 산화아연 나노입자 용액으로 준비하는 양자점 태양전지의 제조방법
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청구항 6 또는 7에 있어서,상기 열처리는 50~200℃ 온도에서 15~30분간 수행하는 양자점 태양전지의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 정공흡수층을 형성하는 단계는,상기 광 흡수층의 상부에 긴 유기물 리간드를 가지고 있는 황화납 양자점을 코팅한 다음, EDT 리간드로 치환하여 전기적 특성을 향상시킨 것인 양자점 태양전지의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 정공흡수층의 상부에 양극을 형성하는 단계는,금(Au) 전극을 열 증착시켜 형성하는 양자점 태양전지의 제조방법
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