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하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 유기반도체 화합물
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제 1항에 있어서,상기 는 로 표시되며, 상기 R11 및 R12는 각각 독립적으로 할로겐, 시아노, 카복실, 니트로, 히드록시 또는 C1-C30알킬옥시카보닐이고, R21 내지 R24는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 시아노, C1-C30알킬, C1-C30알콕시, C1-C30알킬티오 또는 할로C1-C30알킬인, 유기반도체 화합물
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3
제 1항에 있어서,상기 D는 하기 구조에서 선택되는 2가기인, 유기반도체 화합물
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4
제 3항에 있어서,상기 유기반도체 화합물은 하기 화학식 3 및 4로 표시되는 것인, 유기반도체 화합물:[화학식 3][화학식 4](상기 화학식 3 및 4에서,R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, C1-C30알킬, C1-C30알콕시, C1-C30알킬티오, C3-C30사이클로알킬, C1-C30알콕시C1-C30알킬, C6-C30아릴, C6-C30아릴C1-C30알킬, C1-C30알킬C6-C30아릴, C1-C30알콕시C6-C30아릴, C3-C30헤테로아릴, C3-C30헤테로아릴C1-C30알킬, C1-C30알킬C3-C30헤테로아릴 또는 C1-C30알콕시C3-C30헤테로아릴이며;D는 하기 구조에서 선택되는 2가기이고;Ra 내지 Rd는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 시아노, C1-C30알킬, C1-C30알콕시, C1-C30알킬티오, C3-C30사이클로알킬, C1-C30알콕시C1-C30알킬, C6-C30아릴, C6-C30아릴C1-C30알킬, C1-C30알킬C6-C30아릴, C1-C30알콕시C6-C30아릴, C3-C30헤테로아릴, C3-C30헤테로아릴C1-C30알킬, C1-C30알킬C3-C30헤테로아릴 또는 C1-C30알콕시C3-C30헤테로아릴이고;X 및 Y는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 시아노, C1-C30알킬, C1-C30알콕시, C1-C30알킬티오 또는 할로C1-C30알킬이다
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5
제 4항에 있어서,상기 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 C1-C30알킬, C1-C30알콕시C1-C30알킬, C6-C30아릴, C6-C30아릴C1-C30알킬, C1-C30알킬C6-C30아릴 또는 C1-C30알콕시C6-C30아릴이며;D는 하기 구조에서 선택되는 2가기이고;Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 수소, 할로겐 또는 시아노이고;Rc 및 Rd는 서로 독립적으로 C1-C30알킬, C1-C30알콕시C1-C30알킬 또는 C6-C30아릴C1-C30알킬이고;X 및 Y는 각각 독립적으로 수소 또는 할로겐인, 유기 반도체 화합물
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6
제 4항에 있어서,상기 유기반도체 화합물은 하기 구조로부터 선택되는 것인, 유기 반도체 화합물:
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7
하기 화학식 C-1 또는 C-2의 화합물과 하기 화학식 D의 화합물을 반응시켜 제 1항의 화학식 1 또는 2로 표시되는 유기 반도체 화합물을 제조하는 방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 C-1][화학식 C-2][화학식 D](상기 화학식 1, 2, C-1, C-2 및 D에서, R1 내지 R4, D, A, Z1, Z2, R' 및 a는 청구항 제 1항에서의 정의와 동일하다
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8
제 7항에 있어서,상기 화학식 C-1 또는 C-2의 화합물은 하기 화학식 A의 화합물 및 화학식 B-1 또는 B-2의 화합물을 반응시켜 제조되는 것인, 유기 반도체 화합물의 제조 방법:[화학식 A][화학식 B-1][화학식 B-2](상기 화학식 A, B-1 및 B-2에서,Z는 -B(OH)2, 4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란-2-일 또는 -SnRa1Rb1Rc1이고;Ra1 내지 Rc1는 서로 독립적으로 C1-C10알킬이며;Hal은 할로겐이다
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9
제 1항 내지 제 6항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 태양전지 소자
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10
제 9항에 있어서,상기 유기 반도체 화합물은 유기 태양전지의 광활성층에 포함되는 것인, 유기 태양전지 소자
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11
제 10항에 있어서,상기 유기 반도체 화합물은 전자 받게 재료로 사용되는 것인, 유기 태양전지 소자
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