| 1 |
1
마하-젠더(Mach-Zehnder) 형의 광 변조 장치에 있어서,하나의 광 신호를 동일한 출력 파워를 가지는 두 개의 광 신호로 분리하는 광 커플러;상기 광 커플러를 통해 분리된 두 개의 광 신호들 각각이 통과되는 PN 접합 형태를 가진 두 개의 위상 천이기;상기 두 개의 위상 천이기에 전기 신호를 인가하기 위한 복수의 전극; 및상기 두 개의 위상 천이기의 사이에 배치되어 상기 광 변조 장치의 동작 대역폭을 조절하기 위한 두 개의 PN 다이오드를 포함하고,상기 두 개의 위상 천이기를 각각 통과하는 광 신호들은,상기 복수의 전극을 통해 두 개의 위상 천이기에 제공된 역전압의 크기에 따라 공핍 영역의 폭이 변경되어 굴절률이 달라짐으로써 위상이 변경되는 광 변조 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 두 개의 위상 천이기들 각각은,상기 복수의 전극으로부터 인가된 전기 신호를 수신하기 위한 슬랩 영역을 포함하는 광 변조 장치
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 슬랩 영역은,상기 PN 접합 형태를 가진 두 개의 위상 천이기의 코어보다 높은 도핑 농도로 도핑되는 광 변조 장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 광 변조 장치는,상기 두 개의 위상 천이기 사이에 배치된 두 개의 PN 다이오드의 도핑 농도에 따라 동작 대역폭 및 위상 천이기의 구동 인가 전압이 조절되는 광 변조 장치
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 광 변조 장치의 동작 대역폭은,상기 두 개의 PN 다이오드의 도핑 농도를 상기 두 개의 위상 천이기의 도핑 농도 보다 작게 하는 경우, 상기 광 변조 장치의 전체 커패시턴스가 감소되어 동작 대역폭이 증가하고 위상 천이기의 구동 인가 전압이 감소하는 광 변조 장치
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 광 변조 장치의 동작 대역폭은,상기 두 개의 다이오드의 도핑 농도를 상기 두 개의 위상 천이기의 도핑 농도 보다 크게 하는 경우, 상기 광 변조 장치의 전체 커패시턴스가 증가되어 동작 대역폭이 감소하고 위상 천이기의 구동 인가 전압이 증가하는 광 변조 장치
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 광 변조 장치의 변조 효율을 향상시키기 위해 상기 복수의 전극을 통해 전파되는 전기 신호와 상기 위상 천이기를 통해 전파되는 광 신호의 속도를 일치시키는 광 변조 장치
|
| 8 |
8
링(Ring) 형의 광 변조 장치에 있어서,광 신호가 통과되는 PN 접합 형태를 가진 링 형태의 위상 천이기;상기 위상 천이기에 전기 신호를 인가하기 위한 복수의 전극; 및상기 위상 천이기와 전극 사이에 배치되어 상기 광 변조 장치의 동작 대역폭을 조절하기 위한 PN 다이오드를 포함하고,상기 위상 천이기를 통과하는 광 신호는,상기 복수의 전극을 통해 위상 천이기에 제공된 역전압의 크기에 따라 공핍 영역의 폭이 변경되어 굴절률이 달라짐으로써 위상이 변경되는 광 변조 장치
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 링 형 광 변조 장치에 입력되는 광 신호의 파장을 튜닝하기 위한 열적 컨택 영역; 및상기 위상 천이기에 인가되는 전기 신호에 오프셋(Offset)를 제공하기 위한 DC 바이어스 컨택 영역을 더 포함하는 광 변조 장치
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 위상 천이기는,상기 복수의 전극으로부터 인가된 전기 신호를 수신하기 위한 슬랩 영역을 포함하는 광 변조 장치
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 슬랩 영역은,상기 PN 접합 형태를 가진 위상 천이기의 코어보다 높은 도핑 농도로 도핑되는 광 변조 장치
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 광 변조 장치는,상기 위상 천이기와 전극 사이에 배치된 PN 다이오드의 도핑 농도에 따라 동작 대역폭 및 위상 천이기의 구동 인가 전압이 조절되는 광 변조 장치
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 광 변조 장치의 동작 대역폭은,상기 PN 다이오드의 도핑 농도를 상기 위상 천이기의 도핑 농도 보다 작게 하는 경우, 상기 광 변조 장치의 전체 커패시턴스가 감소되어 동작 대역폭이 증가하고 위상 천이기의 구동 인가 전압이 감소하는 광 변조 장치
|
| 14 |
14
제12항에 있어서,상기 광 변조 장치의 동작 대역폭은,상기 PN 다이오드의 도핑 농도를 상기 위상 천이기의 도핑 농도 보다 크게 하는 경우, 상기 광 변조 장치의 전체 커패시턴스가 증가되어 동작 대역폭이 감소하고 위상 천이기의 구동 인가 전압이 증가하는 광 변조 장치
|
| 15 |
15
제8항에 있어서,상기 광 변조 장치의 변조 효율을 향상시키기 위해 상기 복수의 전극을 통해 전파되는 전기 신호와 상기 위상 천이기를 통해 전파되는 광 신호의 속도를 일치시키는 광 변조 장치
|
