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공정 챔버 내부에 타겟 및 기판 홀더를 포함하는 스퍼터링 장치를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 적층된 n형 반도체층, 활성층, 및 p형 반도체층을 포함하는 질화물계 반도체 적층 구조를 준비하는 과정;상기 타겟에 전원을 인가하여 상기 공정 챔버 내에 플라즈마를 발생하는 과정;상기 타겟과 상기 기판 홀더 사이에 배치된 차단 플레이트로 상기 플라즈마의 일부를 차단하는 과정; 및차단되지 않은 상기 플라즈마의 나머지를 이용하여 상기 질화물계 반도체 적층 구조 상에 컨택 전극층을 증착하는 과정;을 포함하고,상기 컨택 전극층을 증착하는 과정 이후에, 상기 차단 플레이트를 상기 플라즈마로부터 제거하는 과정; 및상기 플라즈마 전부를 이용하여 인시츄(in-situ)로 상기 컨택 전극층 상에 반사 전극층을 증착하는 과정을 더 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 플라즈마는 상기 타겟의 전방을 향하여 연장되는 중심부 및 상기 중심부를 둘러싸는 주변부를 포함하고, 상기 차단 플레이트는 상기 플라즈마의 중심부를 가로질러 배치되는 반도체 발광소자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 컨택 전극층을 증착하는 과정에서 상기 컨택 전극층은 비정질 또는 나노결정질인 금속으로 이루어진 박막으로 증착되는 반도체 발광소자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 질화물계 반도체 적층 구조는 상기 p형 반도체층 상에 배치되고 상기 컨택 전극층과 오믹 접촉을 형성하는 p형 컨택층을 더 포함하고,상기 컨택 전극층을 증착하는 과정이 완료된 상태에서 상기 p형 컨택층은 1×1019 내지 5×1021/cm3 범위의 하전 결함 밀도(charged defect density)를 가지는 반도체 발광소자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 컨택 전극층을 증착하는 과정에서 상기 컨택 전극층은 10nm 내지 150nm 범위의 두께로 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 반사 전극층을 증착하는 과정에서 상기 반사 전극층은 결정질이고, 상기 컨택 전극층과 동일한 금속으로 이루어진 박막으로 증착되는 반도체 발광소자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 차단 플레이트의 직경은 상기 타겟의 직경에 비해 -20% 내지 +20%의 범위를 가지는 반도체 발광소자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 차단 플레이트와 상기 기판 홀더 사이의 간격은 상기 타겟과 상기 기판 홀더 사이의 간격의 1/2보다 작고, 상기 타겟과 상기 기판 홀더 사이의 간격의 1/5보다 큰 반도체 발광소자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 컨택 전극층을 증착하는 과정은, 상기 기판 홀더에 음의 전압을 인가한 상태에서 수행되는 반도체 발광소자의 제조 방법
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제 1항 내지 제 5항, 제 7항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 발광소자
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