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X선 광을 흡수하여 X선 광보다 상대적으로 에너지 수준이 낮은 저에너지광을 발광하는 형광층(110); 상기 형광층(110)에서 방출된 저에너지광을 감지하는 광감지수단(120);을 포함하는 디지털 간접변환방식의 X선 검출장치(100)에 있어서,상기 형광층(110)이,상기 형광층(110)의 형태를 형성하는 기저체(111),상기 기저체(111) 재료 내에 분포되며, X선 광을 흡수하여 저에너지광을 발광하는 형광체(112),상기 기저체(111) 재료 내에 분포되며, X선 영역에서만 산란을 발생시키고 저에너지광선 영역에서 산란 및 흡수를 발생시키지 않는 X선산란체(113)를 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 1항에 있어서, 상기 형광층(110)은,상기 기저체(111)가 단일 개의 층으로 형성되며,상기 형광체(112) 및 상기 X선산란체(113)가 상기 기저체(111) 내에 혼합 분포된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 1항에 있어서, 상기 형광층(110)은,상기 기저체(111)가 제1기저체층(111a) 및 제2기저체층(111b)이 적층된 형태로 형성되며,상기 형광체(112)가 상기 제1기저체층(111a) 내에 혼합 분포되고, 상기 X선산란체(113)가 상기 제2기저체층(111b) 내에 혼합 분포된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 3항에 있어서, 상기 기저체(111)는,상기 제1기저체층(111a)으로 X선이 입사되고, 상기 제2기저체층(111b)이 상기 광감지수단(120)과 접하도록 배치되게 형성되는 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 1항에 있어서, 상기 X선산란체(113)는,X선 영역의 광자에 선택적으로 산란을 발생시키는 형태의 나노구조체인 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 5항에 있어서, 상기 X선산란체(113)는,저에너지광 영역의 파장에서의 회절한계보다 작은 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 1항에 있어서, 상기 X선 검출장치(100)는,상기 형광층(110)의 재료물질이 상기 광감지수단(120)에 도포된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 1항에 있어서, 상기 X선 검출장치(100)는,상기 형광층(110)이 필름 형태로 형성되어 상기 광감지수단(120)에 부착된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 1항에 있어서, 상기 X선 검출장치(100)는,상기 형광층(110)의 재료물질이 투명 필름 형태의 지지체(114)에 도포된 적층체가 상기 광감지수단(120)에 부착된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 1항에 있어서, 상기 저에너지광은,가시광선 또는 근적외선인 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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제 1항에 있어서, 상기 광감지수단(120)은,CMOS, CCD 또는 광다이오드인 것을 특징으로 하는 X선 검출장치
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