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기판;상기 기판 상부에 이격하여 배치되는 제1전극 및 제2전극;상기 기판 상부에 배치되며 상기 제1전극에 연결되는 제1이차원 반도체;상기 기판 상부에 배치되며 상기 제1이차원 반도체와 상기 제2전극에 연결되는 제2이차원 반도체;상기 기판 하부에서 상기 제2이차원 반도체와 동일 수직선상에 배치되며, 제1게이트와 제2게이트 사이에 양자점을 형성하는 양자 게이트 전극; 상기 제1게이트와 상기 제2전극 사이에서 상기 제2이차원 반도체상에 배치되는 제3전극 및 상기 제3전극 전단에 형성되는 제3게이트를 포함하는 바이패스부; 및상기 제1게이트에 연결되며, 주파수 제어를 통하여 상기 양자점의 단일 전자 방출 주기를 조절하는 신호 발생기를 포함하는 양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,제2전극에 연결되는 전류 앰프를 더 포함하는 양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1게이트와 상기 제3게이트간의 거리는 1um이하인 양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1이차원 반도체는 P타입 이차원 반도체이며, 상기 제2이차원 반도체는 N타입 이차원 반도체인 양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 제1 및 제2 이차원 반도체 물질은 각각 전이금속 디칼코게나이드인 양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자
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제3항에 있어서,상기 제1이차원 반도체는 WS2를 포함하고, 상기 제2이차원 반도체는 MoS2를 포함하는 양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 신호 발생기는 상기 양자점의 너비에 따라 0
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제1항에 있어서,상기 기판은 h-BN(hexagonal-boron nitride) 층인 양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1이차원 반도체의 일단과 상기 제2이차원 반도체의 일단은 상호 중첩되어 중첩 영역을 형성하는 양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자
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제9항에 있어서,상기 양자 게이트 전극은 상기 중첩 영역과 겹치지 않도록 상기 제2이차원 반도체와 동일 수직선상에 배치되는 양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자
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