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산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

기술번호 : KST2021002058
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 게이트 전극층; 상기 게이트 전극층 상에 배치된 유전체층; 상기 유전체층 상의 적어도 일부에 배치되며, 아연(Zn)을 포함하는 산화물 반도체 채널층; 상기 유전제층 및 산화물 반도체 채널층 중 적어도 하나의 층 상에 배치된 절연 버퍼층; 및 상기 절연 버퍼층 상에 서로 이격하여 배치된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78618(2013.01) H01L 29/66742(2013.01) H01L 27/1214(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02178(2013.01) H01L 21/02189(2013.01) H01L 21/02181(2013.01) H01L 21/02194(2013.01)
출원번호/일자	1020190102100 (2019.08.21)
출원인	충북대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-2231372-0000 (2021.03.18)
공개번호/일자	10-2021-0022851 (2021.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2019.08.21)
심사청구항수	3

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	충북대학교 산학협력단	대한민국	충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호	이름	주소
1	박우진	충청북도 음성군
2	김태현	충청북도 청주시 서원구
3	조병진	충청북도 청주시 서원구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인위더피플	대한민국	서울특별시 서대문구 경기대로 *, 진양빌딩 층(충정로*가)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	충북대학교 산학협력단		충청북도 청주시 서원구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2019.08.21	수리 (Accepted)	1-1-2019-0856810-13
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2019.11.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2019.12.09	수리 (Accepted)	9-1-2019-0055628-42
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149268-82
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2020.07.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0488783-51
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2020-0959340-17
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.09.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0959341-63
8	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2020.10.05	수리 (Accepted)	1-1-2020-1044065-84
9	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2021.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0079340-02
10	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2021.02.18	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2021-0195578-02
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2021.02.18	수리 (Accepted)	1-1-2021-0195579-47
12	등록결정서 Decision to Grant Registration	2021.03.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0214077-77

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 게이트 전극층;상기 게이트 전극층 상에 배치된 유전체층;상기 유전체층 상의 적어도 일부에 배치되며, 아연(Zn)을 포함하는 산화물 반도체 채널층;상기 산화물 반도체 채널층 상에 배치된 절연 버퍼층; 및상기 절연 버퍼층 상에 서로 이격하여 배치된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
2	2 제 1 항에 있어서,상기 절연 버퍼층은 1 내지 2
3	3 제 1 항에 있어서,상기 절연 버퍼층은 5 내지 10eV의 밴드갭을 갖는 금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는산화물 반도체 박막 트랜지스터
4	4 제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체 채널층은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
5	5 제 1 항의 산화물 반도체 박막 트랜지스터;를 포함하는 디스플레이
6	6 게이트 전극층 상에 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체층 상의 적어도 일부에 아연(Zn)을 포함하는 산화물 반도체 채널층을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체 채널층 상에 절연버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 절연버퍼층 상에 서로 이격 되도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
7	7 제 6 항에 있어서,상기 산화물 반도체 채널층은 용액 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
8	8 제 6 항에 있어서,상기 산화물 반도체 채널층은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
9	9 제 6 항에 있어서,상기 절연 버퍼층은 진공 증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
10	10 제 6 항에 있어서,상기 절연 버퍼층은 1 내지 2 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
11	11 제 6 항에 있어서,상기 절연 버퍼층은 Al2O3, SiO2, ZrO, HfO 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
12	12 제 6 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이후 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
13	13 제 11 항에 있어서,상기 열처리는 150 내지 250 ℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	한국산업기술진흥원	충북대학교 산학협력단	국가클러스터 R＆D	에너지 절감형 첨단 부품

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2019.08.21	수리 (Accepted)	1-1-2019-0856810-13
2	선행기술조사의뢰서	2019.11.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2019.12.09	수리 (Accepted)	9-1-2019-0055628-42
4	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149268-82
5	의견제출통지서	2020.07.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0488783-51
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2020-0959340-17
7	[명세서등 보정]보정서	2020.09.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0959341-63
8	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2020.10.05	수리 (Accepted)	1-1-2020-1044065-84
9	거절결정서	2021.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0079340-02
10	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2021.02.18	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2021-0195578-02
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2021.02.18	수리 (Accepted)	1-1-2021-0195579-47
12	등록결정서	2021.03.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0214077-77


과제고유번호	1415166411
세부과제번호	P0006704
연구과제명	에너지 절감형 첨단 부품 개발
성과구분	출원
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명	청주대학교산학협력단
연구주관기관명	한국산업기술진흥원
성과제출연도	2019
연구기간	201810~202012
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020190102100]	산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법	새창보기

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